臺(tái)DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率　惟制程進(jìn)度仍落后

　　經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺(tái)系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價(jià)格反彈到現(xiàn)金成本之上，開(kāi)始全力擴(kuò)產(chǎn)找回過(guò)去失落的市占率，惟即使目前臺(tái)系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來(lái)追趕，傳出三星電子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已開(kāi)始大量投產(chǎn)，領(lǐng)先臺(tái)廠2個(gè)世代之多，臺(tái)系DRAM廠在追趕的進(jìn)度上，再度顯得相當(dāng)吃力。

　　就像過(guò)去每次的景氣循環(huán)一樣，當(dāng)走出谷底的初期，國(guó)際大廠總是早一步獲利，臺(tái)廠緩步跟隨在后，這次也不例外，臺(tái)廠再度過(guò)年初的財(cái)務(wù)危機(jī)之后，隨著DRAM價(jià)格開(kāi)始上揚(yáng)，臺(tái)廠好不容易營(yíng)運(yùn)止血，開(kāi)始走入現(xiàn)金流入，因此紛紛大量增加投片量。

　　南亞科和華亞科全力轉(zhuǎn)至50奈米制程，速度居于臺(tái)廠之冠，惟相較三星仍是落后。

　　近期市場(chǎng)傳出，三星在50奈米制程世代領(lǐng)先后，目前已開(kāi)始以40奈米制程的DDR3芯片放量投片，領(lǐng)先臺(tái)系廠商2個(gè)世代之多。相較之下，臺(tái)廠雖然努力在投片量上追趕，但制程進(jìn)度上仍舊是敗陣。

　　力晶12寸晶圓廠已開(kāi)始滿載投片，短期內(nèi)不用籌資轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程的花費(fèi)，追隨爾必達(dá)(Elpida)的腳步，專心放在65奈米和Extra 65奈米制程上，以成本競(jìng)爭(zhēng)力來(lái)看，雖然還追不上三星的50奈米制程，但至少可以縮短與海力士(Hynix)間的競(jìng)爭(zhēng)距離。

　　南亞科和華亞科雖然誓言要轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程，但真正放量的時(shí)間點(diǎn)要到2010年才見(jiàn)到，南亞科目前先轉(zhuǎn)入68奈米制程試水溫，等到良率順之后，華亞科2010年在大量轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程，屆時(shí)會(huì)是臺(tái)廠中制程轉(zhuǎn)換至50奈最快的業(yè)者，但距離三星的腳步，仍有一段距離在。

　　茂德2010年開(kāi)始為爾必達(dá)代工DDR3芯片，但茂德原本采用海力士的技術(shù)和設(shè)備，現(xiàn)在要轉(zhuǎn)到爾必達(dá)技術(shù)且做代工，必須要購(gòu)買(mǎi)新機(jī)臺(tái)設(shè)備，未來(lái)如何找到資金來(lái)添置機(jī)臺(tái)設(shè)備，是市場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn);再者，何時(shí)取得自有技術(shù)來(lái)源，是一個(gè)關(guān)注重點(diǎn)。