海力士2006年4月啟用無(wú)錫半導(dǎo)體廠

   海力士與意法半導(dǎo)體合資興建的江蘇無(wú)錫半導(dǎo)體廠，將在明年4月著手量產(chǎn)。 

    韓國(guó)業(yè)界相關(guān)人員近日指出，據(jù)傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無(wú)錫廠。無(wú)錫廠將以生產(chǎn)DRAM為主，NAND型閃存則將視市場(chǎng)需求彈性生產(chǎn)。 

    無(wú)錫廠區(qū)達(dá)16萬(wàn)平方米，海力士計(jì)劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用90納米制程月產(chǎn)4萬(wàn)片（以八吋為基準(zhǔn)）DRAM。