1999年2月23日,上海華虹NEC電子有限公司建成試投片
1999年2月23日,上海華虹NEC電子有限公司建成試投片,工藝技術(shù)檔次從計(jì)劃中的0.5微米提升到了0.35微米,主導(dǎo)產(chǎn)品64M同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(S-DRAM)。這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標(biāo)志著我國(guó)從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。
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評(píng)論