利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行系統(tǒng)開發(fā)

　　若把輸出電壓范圍中間值下的穩(wěn)態(tài)電流作為額定電流，則表1是個(gè)使用指南，顯示了當(dāng)驅(qū)動(dòng)器路徑上沒有外接電阻時(shí)，單位大小的驅(qū)動(dòng)器提供或消除一定數(shù)量的柵極電荷的速度。這個(gè)表是通過式(2)計(jì)算得出的，但考慮到實(shí)驗(yàn)室測(cè)試條件的非理想化，乘以了1.5的經(jīng)驗(yàn)系數(shù)。然而，這個(gè)系數(shù)仍然過于保守，因?yàn)榧词箾]有使用串聯(lián)柵極電阻時(shí)，功率開關(guān)的內(nèi)部柵極阻抗也會(huì)減慢開關(guān)的速度。當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器與同步整流器(SR)一起使用時(shí)，大小標(biāo)準(zhǔn)又完全不同，由于體二極管在MOSFET溝道導(dǎo)通之前和之后都導(dǎo)通，故開關(guān)損耗可忽略不計(jì)。在此情況下，所需驅(qū)動(dòng)器電流取決于時(shí)序和防止由于dv/dt而導(dǎo)通。

　　為了防止擊穿導(dǎo)致不必要的功耗，必須在加載電壓之前完全關(guān)斷SR，一般通過導(dǎo)通一個(gè)或多個(gè)初級(jí)開關(guān)來實(shí)現(xiàn)。為了確保此條件得到滿足，同時(shí)讓SR盡可能長(zhǎng)地保持導(dǎo)通狀態(tài)，以最大限度提高效率，必須知道需要多長(zhǎng)時(shí)間來關(guān)斷SR。由圖2中的MOSFET模型，可計(jì)算出關(guān)斷時(shí)間。

　　這里， CGS=CISS-CRSS是MOSFET的線性柵源電容，CGD_SR是低壓非線性柵漏電容或“密勒”電容CGD=CRSS。后者的選擇最好對(duì)應(yīng)SR關(guān)斷期間電壓擺幅的中間值，VDD/2。這個(gè)值可從CRSS與電壓的關(guān)系曲線(若提供)讀取，也可以根據(jù)使用手冊(cè)給出的對(duì)應(yīng)某些更高電壓VDS_SPEC的CRSS_SPEC值按照下式求出：