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          用于確保信號(hào)完整性的ESD保護(hù)器件新結(jié)構(gòu)

          作者:周智勇 特約撰稿人 時(shí)間:2009-12-11 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            從圖2對(duì)1.65Gbit/s數(shù)據(jù)率信號(hào)的測(cè)量中,比較左上角采用0.6pF電容的保護(hù)器件測(cè)得的與右下角未使用保護(hù)器件測(cè)得的可見,保護(hù)器件的電容越低,對(duì)信號(hào)質(zhì)量退化的影響越小。圖2中左下角和右上角顯示了ESD保護(hù)器件的電容分別是2.5pF和3.5pF時(shí)眼圖質(zhì)量變差的情形。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/101086.htm

            降低ESD保護(hù)器件電容的新結(jié)構(gòu)和材料

            為了克服傳統(tǒng)ESD保護(hù)二極管的局限,多年前安森美半導(dǎo)體已經(jīng)采用突破性的工藝技術(shù),將超低電容PIN二極管和大功率TVS二極管集成在單個(gè)裸片上,從而實(shí)現(xiàn)高性能片外ESD保護(hù)解決方案。這種集成型ESD保護(hù)技術(shù)既保留了傳統(tǒng)硅TVS二極管技術(shù)的良好鉗位和低泄漏性能,又將電容大幅降低至0.5pF。0.5pF的總電容使ESD保護(hù)器件適用于USB2.0高速(480Mbit/s)和高清多媒體接口()(1.65Gbit/s)等高速應(yīng)用。

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