韓國開發(fā)變阻存儲器元件原創(chuàng)技術

    韓國產(chǎn)業(yè)資源部近日宣布，韓國光州科學技術院教授黃賢尚領導的科研小組成功開發(fā)出了變阻存儲器（ＲｅＲＡＭ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ?。遥幔睿洌铮怼。粒悖悖澹螅蟆。停澹恚铮颍┰暮诵脑瓌?chuàng)技術，這一技術足以克服新一代存儲器閃存芯片的缺陷。 　　據(jù)介紹，迄今為止，閃存芯片存在的最大缺陷是信息存儲和刷新的時間長，存儲容量難以達到３２千兆位（Ｇｂ）以上。 

　　專家介紹說，黃賢尚科研小組開發(fā)出的“單結晶鍶鈦氧化物（ＳｒＴｉ０３）”和使這種氧化物保持原有特性的表面處理工藝可以使存儲器的存儲功能“０（ｏｆｆ）”和“１（ｏｎ）”來回變動。而采用“單結晶鍶鈦氧化物”的存儲器存儲數(shù)據(jù)保持時間可達１０年以上，信息存儲和刷新次數(shù)也可達千萬次以上。 

　　據(jù)悉，美國商用機器公司、日本夏普公司和韓國三星電子公司等國際大公司都在開發(fā)新一代存儲器原創(chuàng)技術，但迄今未能獲得成功。 

　　韓國產(chǎn)業(yè)資源部稱，新一代存儲器原創(chuàng)技術可以實現(xiàn)新一代大容量存儲器商業(yè)化的進程提早兩年至三年。 

　　目前，韓國科學家的這一新技術已獲得韓國兩項專利，并正在美國和日本等國申請專利。