T3/E3/STS-1 LIU的回波損耗測量

本應用筆記討論了在線路接口單元(LIU) — Dallas Semiconductor公司的DS3150 — 應用中，如何測量并改進回波損耗(RL)。對回波損耗的定義、要求、測量以及改進方法進行了論述。


回波損耗定義
當高速信號到達傳輸線路的終端時，如果傳輸線路沒有很好地端接，部分信號能量將會向發(fā)送器反射。該反射信號與原始信號混合，這將導致原始信號失真，使LIU接收器很難正確恢復時鐘和數據。
回波損耗是原始信號與反射信號的功率比(用dB表示)。因此，回波損耗表示的是反射信號的相對大小，同時也反映了傳輸線路終端的匹配度或者說失配度。如果在給定頻率下測得LIU卡的回波損耗為20dB，則表明在該頻率下反射信號比原始信號功率小20dB。


回波損耗要求
對于E3、ITU G.703和ETS 300-686，規(guī)定的輸入回波損耗如表1所列，輸出回波損耗如表2所列。
表1. 輸入端最小回波損耗 Frequency Range Return Loss 
860kHz to 1720kHz 12dB 
1720kHz to 34368kHz 18dB 
34368kHz to 51550kHz 14dB 

表2. 輸出端最小回波損耗 Frequency Range Return Loss 
860kHz to 1720kHz 6dB 
1720kHz to 51550kHz 8dB 



Dallas Semiconductor的LIU回波損耗測量
ETS 300-686規(guī)范中的A.2.5和A.2.6細則描述了測量E3回波損耗的測試設備和程序。圖1所示的測試裝置用于測量輸入回波損耗，并驗證其是否符合表1所列出的要求。輸出回波損耗的測量裝置與之相似，只是測量裝置被連接到了發(fā)送器的輸出而非接收器輸入。
圖1裝置中，回波損耗電橋采用的是Wide Band Engineering公司的A57TLSTD。兩個50/75阻抗轉換器(Wide Band Engineering的A65L)用來連接75電橋與50信號發(fā)生器和50頻譜分析儀端口。圖1中橋右側的75精密電阻是回波損耗橋的組成部分。Advantest的R3132頻譜分析儀作為信號發(fā)生器和頻譜分析儀。


圖1. 回波損耗測量裝置

在圖1裝置中，發(fā)生器在860kHz至51550kHz的頻率范圍內，提供峰值為1V的正弦信號。

若要在測量回波損耗之前檢查測試裝置，電橋的NTP接口(圖1中左側的接口)應連接至75