TI 推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
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日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/105392.htm該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設(shè)計人員使用具有擴充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應(yīng)用，其中包括臺式個人計算機、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。
TI 高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”
DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢：
· 作為單相35A 同步降壓轉(zhuǎn)換器的 MOSFET， 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應(yīng)用中的高、低側(cè)兩種開關(guān)需求;
· 增強型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%;
· 高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設(shè)計人員無需增加終端設(shè)備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動的處理器;
· 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設(shè)計、降低成本，與使用兩個標(biāo)準(zhǔn)5x6封裝相比，可節(jié)省 30mm2的空間。
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