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          Vishay Siliconix 推出符合DrMOS規(guī)定的新款器件

          作者: 時間:2010-02-23 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            日前, Intertechnology, Inc.宣布,推出集成的DrMOS解決方案 --- 。在緊湊的® MLP 6x6的40腳封裝內,該器件集成了對PWM信號優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET,以及陰極輸出二極管。新的完全符合DrMOS®規(guī)定的服務器、PC、圖形卡、工作站、游戲機和其他高功率CPU系統(tǒng)中電壓調節(jié)器(VR)標準。該器件的工作頻率超過1MHz,效率高達92%。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/106204.htm

            的輸入電壓為3V~27V,可以提供高達35A的連續(xù)輸出電流。集成的功率MOSFET針對0.8V~2.0V的輸出電壓進行了優(yōu)化,標稱輸入電壓為24V。在5V輸出時,SiC762CD還可以為ASIC應用提供非常高的功率。

            SiC762CD先進的柵極接收來自VR控制器的單個PWM輸入,然后把輸入信號轉換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅動信號。PWM輸入與所有控制器兼容,而且特別支持帶有三態(tài)PWM輸出功能的控制器。

            器件的具有能自動檢測輕負載條件的電路,可以自動開啟跳頻模式工作(SMOD),使系統(tǒng)在輕負載條件下也能獲得高效率。自適應的死區(qū)時間控制能夠進一步提高效率。保護功能包括欠壓鎖定、擊穿保護,熱報警功能可在結溫過高時向系統(tǒng)告警。

            通過集成驅動IC和功率MOSFET,SiC762CD減少了功率損耗和與高頻分立功率級相關的寄生阻抗效應。設計者可以采用高頻開關以改善瞬態(tài)響應,節(jié)省輸出濾波器的成本,在多相Vcore應用中實現(xiàn)盡可能高的效率密度。

            器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC。

            SiC762CD現(xiàn)可提供樣品,將于2010年第一季度量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周至十六周。



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