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          IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
          
						
          
				作者：
				時間：2010-03-11
				來源：電子產品世界

				
				
				
				
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          　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/106833.htm

          　　這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
          

          　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借在基準MOSFET技術方面的豐富經(jīng)驗和不斷努力，IR推出了結合我們最新一代芯片與PQFN封裝技術的MOSFET系列，實現(xiàn)了業(yè)界領先的RDS(on) ，繼續(xù)開創(chuàng)卓越性能的先河。此外，在未來幾個月，我們將按照產品路線圖推出寬泛組合的PQFN基準MOSFET產品，以滿足客戶的需求。”
          

          　　25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專為DC開關應用設計的，例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機驅動應用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on)，最高只有1.15m?，且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4m?，Qg 達到了 50nC。
          

          　　如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不僅能夠實現(xiàn)卓越的熱性能，還可以根據(jù)給定的功率損耗要求，比現(xiàn)有解決方案使用更少的元件，節(jié)省電路板空間及成本。
          

          　　所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W)，并達到一級濕敏 (MSL1) 工業(yè)合格水平，也不含鉛、溴化物和鹵素，且符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            IR
                        MOSFET
                        HEXFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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