供給有限、需求強(qiáng)勁　DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年

　　根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下，位成長(zhǎng)有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換機(jī)潮，以及智能型手機(jī)帶動(dòng)行動(dòng)內(nèi)存需求大幅成長(zhǎng)下則將動(dòng)力強(qiáng)勁，預(yù)期未來(lái)三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機(jī)會(huì)連續(xù)獲利。

　　DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)去十幾年來(lái)，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營(yíng)業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)為連續(xù)三年獲利，2007至2009年又落入連續(xù)三年虧損的循環(huán)。今年，DRAM廠終于擺脫三年虧損，進(jìn)入獲利循環(huán)開(kāi)始，由于全球經(jīng)濟(jì)景氣復(fù)蘇，Window 7 帶動(dòng)消費(fèi)者、企業(yè)換機(jī)潮，加上資本支出成長(zhǎng)有限，制程轉(zhuǎn)進(jìn)出現(xiàn)瓶頸，該產(chǎn)業(yè)可望再走向正向循環(huán)，未來(lái)三年連續(xù)獲利可期。

　　去年下半年開(kāi)始，全球景氣逐漸復(fù)蘇，國(guó)際貨幣基金(IMF)上調(diào)今年全球GDP預(yù)測(cè)，從3.1%上修至3.9%;世界銀行(World Bank)最新預(yù)測(cè)則指出，今年中國(guó)GDP成長(zhǎng)率將超過(guò)去年的8.7%，達(dá)到9.5%，顯示今年中國(guó)仍為全球性經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)的動(dòng)能。

　　根據(jù)消費(fèi)者信心指數(shù)顯示，歐洲及日本最壞的經(jīng)濟(jì)谷底已經(jīng)出現(xiàn)，經(jīng)濟(jì)亦已進(jìn)入緩步復(fù)蘇。同時(shí)，各國(guó)亦在今年極力降低失業(yè)率，透過(guò)各項(xiàng)方案增加就業(yè)機(jī)會(huì)，因此經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇及失業(yè)率下降，可望帶動(dòng)未來(lái)幾年計(jì)算機(jī)銷售成長(zhǎng)率。

　　此外，微軟(Microsoft)在2007年推出的Windows Vista未能成功帶動(dòng)換機(jī)潮，但在去年10月推出Windows 7，可望在帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)PC換機(jī)潮。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在未來(lái)三年每年P(guān)C出貨量成長(zhǎng)率將達(dá)12%~17%。

　　手機(jī)市場(chǎng)方面，DRAMeXchange預(yù)估智能型手機(jī)今年成長(zhǎng)率將達(dá)28.6%。智能型手機(jī)出貨量成長(zhǎng)，激勵(lì)Mobile DRAM需求大幅成長(zhǎng)。去年智能型手機(jī)搭載的Mobile DRAM主流容量為128MB，今年新款智能型手機(jī)，搭載的mobile DRAM容量高達(dá)256MB。

　　而下世代的智能型手機(jī)搭載的Mobile DRAM規(guī)格再度提高至512MB，出貨量及搭載量皆大幅成長(zhǎng)的情況下，預(yù)計(jì)Mobile DRAM為今年DRAM需求成長(zhǎng)另一強(qiáng)大動(dòng)能。

　　蘋果計(jì)算機(jī)(Apple)的iPad也是今年Mobile DRAM需求成長(zhǎng)的另一動(dòng)能;該產(chǎn)品預(yù)計(jì)今年4月3日在美國(guó)開(kāi)賣，預(yù)估今年將熱賣750萬(wàn)臺(tái)，所搭載Mobile DRAM容量至少為512MB，對(duì)行動(dòng)內(nèi)存總需求成長(zhǎng)將再往上提升，也促使三星、海力士、爾必達(dá)等DRAM廠大幅增加Mobile DRAM的投片量，排擠到標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的產(chǎn)能。

　　2008年全球經(jīng)濟(jì)下半年面臨金融風(fēng)暴強(qiáng)襲，導(dǎo)致消費(fèi)性需求急凍，DRAM廠商均嚴(yán)重虧損，大部份DRAM廠商亦在2008第四季開(kāi)始減產(chǎn)以及8吋廠房去化。今年首季，雖全球景氣已逐漸復(fù)蘇，DRAM廠商亦逐漸恢復(fù)產(chǎn)能;然而，目前八吋產(chǎn)能已幾乎全面去化，全球DRAM產(chǎn)能仍較2008年第二季產(chǎn)能高峰減少20%。

　　DRAMeXchange表示，由于DRAM廠商新蓋廠房需要2至3年時(shí)間才能設(shè)備移入，未來(lái)兩年內(nèi)新增的產(chǎn)能，除了先前已蓋好廠房的三星將新增40K產(chǎn)能以及南科預(yù)計(jì)新增的15K產(chǎn)能外，未來(lái)兩年難以大幅增加產(chǎn)能。

　　DRAM廠商在2008年第四季在金融風(fēng)暴的沖擊下，虧損大幅擴(kuò)大，面臨了營(yíng)運(yùn)資金短缺及無(wú)力償還債務(wù)的危機(jī)，為求生存，各DRAM廠商皆大幅降低2009年資本支出。今年資本支出在DRAM廠商連續(xù)三年虧損下，能投入的金額也將有限。

　　目前DRAM廠商計(jì)劃今年資本支出為83.6億美金，雖已較去年成長(zhǎng)93%然而與DRAM廠商歷史資本支出相較，仍屬較低水位，預(yù)計(jì)未來(lái)三年DRAM廠商在獲利的狀況下，資本支出將會(huì)穩(wěn)健成長(zhǎng)。 、

　　在制程轉(zhuǎn)進(jìn)設(shè)備方面，50nm以下制程皆需使用浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)，除DRAM產(chǎn)業(yè)外，其余半導(dǎo)體廠商如臺(tái)積電、聯(lián)電亦需使用到浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)，目前浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)供貨商ASML市占率高達(dá)9成以上，在滿單的狀況下，各DRAM廠商拿到浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)時(shí)間大多具不確定性。也使DRAM廠在制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度受限于機(jī)臺(tái)取得時(shí)程而可能延后。

　　在制程轉(zhuǎn)進(jìn)方面，目前僅三星已量產(chǎn)4xnm，海力士及爾必達(dá)則計(jì)劃今年第二季才量產(chǎn)4x nm;DRAMeXchange認(rèn)為，一旦制程轉(zhuǎn)進(jìn)稍有不順，將造成今年大缺貨。明年各DRAM廠商即使順利轉(zhuǎn)進(jìn)40nm制程，然而進(jìn)入4xnm以下制程難度加大，投資也要再增加。

　　預(yù)估2011~2012年，在產(chǎn)能擴(kuò)充有限、40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)不易下，年DRAM位成長(zhǎng)將最高達(dá)40%左右。