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          Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET

          作者: 時間:2010-04-06 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            日前,宣布推出新款500V N溝道功率--- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲,具有低至63ns的trr和114nC的Qrr,柵極電荷為34nC。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/107659.htm

            SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性,從而能夠更好地抵御EMI,實現(xiàn)更高的效率,同時避免出現(xiàn)導致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復故障。

            今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級,在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味著低傳導損耗,可以在用于LIPS逆變器、HID、PC電源和鎮(zhèn)流器的LLC、全橋、半橋和雙管正激拓撲中節(jié)省能源。

            為了能可靠地工作,該器件進行了完備的雪崩測試,可處理22A的脈沖峰值電流和8A的連續(xù)電流(由最高結(jié)溫限定)。SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封裝,符合RoHS指令2002/95/EC。

            新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。



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