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          設(shè)計(jì)更高能效、極低EMI準(zhǔn)諧振適配器
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-04-15
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　2) 預(yù)測(cè)開關(guān)頻率
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/108007.htm

          　　負(fù)載下降時(shí)，控制器會(huì)改變谷底。問(wèn)題在于如何才能預(yù)測(cè)負(fù)載變化時(shí)開關(guān)頻率怎樣變化。實(shí)際上，功率增加或減小時(shí)，控制器用以改變谷底的反饋(FB)電平也不同，正是借此特性提供谷底鎖定。知道反饋電平閾值后，我們就能夠計(jì)算開關(guān)頻率的變化及相應(yīng)的輸出功率。通過(guò)手動(dòng)計(jì)算或使用Mathcad電子表格，我們就可以解極出最大開關(guān)頻率。
          

          

          　　圖3：預(yù)測(cè)開關(guān)頻率。
          

          　　3) 時(shí)序電容值(Ct)計(jì)算
          

          　　在VCO模式下，開關(guān)頻率由時(shí)序電容(Ct)完成充電而設(shè)定，而Ct電容的充電完成受反饋環(huán)路控制。由準(zhǔn)諧振模式的第4個(gè)谷底向VCO模式過(guò)渡時(shí)，輸出負(fù)載輕微下降。要計(jì)算Ct電容值，先要計(jì)算第4個(gè)谷底工作時(shí)的開關(guān)頻率，并可根據(jù)反饋電壓(VFB)與時(shí)序電容電壓(VCt)之間的關(guān)系計(jì)算出VCt的值為1.83 V。然后，根據(jù)等式Ct=ICtTsw,vco/1.83，可以計(jì)算出Ct的值為226 pF。我們實(shí)際選擇的的200 pF的Ct電容。
          

           
          

          
				
            
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            安森美
                        MOSFET
                        電源適配器
                        EMI
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
          評(píng)論
          					
		
          
		
          
			
          
			
				
          
					
					
          
						
                        
					
          
				
          
                		
						
						
			
          
		
          
		
          
		
          
            
			
            
		
          
	
          
	
          
	
          
		

          
	
          
		
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