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          飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議
          
						
          
				作者：
				時間：2010-04-23
				來源：電子產品世界

				
				
				
				
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          　　全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/108338.htm

          　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
          

          　　飛兆半導體低壓產品高級副總裁John Bendel稱：“飛兆半導體和英飛凌實現了引腳輸出的標準化，并在性能水平方面相輔相成，為客戶提供兩個供貨來源以滿足計算、電信和服務器市場對高效率設計的需求。這一攬子協(xié)議(package alignment)的目的是通過多個來源和行業(yè)標準封裝，為客戶提供性能領先的產品。”
          

          　　英飛凌科技低壓MOSFET產品總監(jiān)兼產品線經理Richard Kuncic表示：“我們不單通過減少市場上的‘獨有’封裝種類，能夠使客戶從功率產品封裝的標準化中獲益，還能夠以相較上一代產品更小的占位面積，帶來提升效能水平的解決方案。”
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            Fairchild
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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