NXP發(fā)布以LFPAK為封裝全系列汽車功率MOSFET

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強(qiáng)無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn)，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對(duì)高密度汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。

　　隨著對(duì)電子應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求，汽車OEM廠商面臨在汽車的有限空間中引入新功能的挑戰(zhàn)，同時(shí)要保持燃油效率、電子穩(wěn)定性和可靠性。LFPAK是恩智浦針對(duì)汽車應(yīng)用推出的創(chuàng)新解決方案，具有功率器件封裝可靠、散熱性能高，尺寸大幅縮小等優(yōu)點(diǎn)。其封裝設(shè)計(jì)經(jīng)過優(yōu)化，能為汽車OEM廠商帶來最佳的散熱和電器性能，低成本和高可靠性。它克服了SO8的散熱限制，使其熱阻與DPAK這樣更大的功率封裝相當(dāng)。

　　恩智浦LFPAK封裝利用銅片設(shè)計(jì)降低了封裝的電阻和電感，從而減少了RDS(on)和MOSFET的開關(guān)損耗。LFPAK為設(shè)計(jì)者提供了具有與DPAK相似的電氣和散熱性能，但面積減小了46%的MOSFET。這有助于設(shè)計(jì)比以前更小的解決方案，或者，在無需增大模塊尺寸或降低可靠性的前提下，通過為現(xiàn)有設(shè)計(jì)增加新特性將功率密度提高46%。恩智浦的全系列LFPAK產(chǎn)品允許設(shè)計(jì)者根據(jù)應(yīng)用需求挑選器件，同時(shí)根據(jù)需求的變化改變自己的選擇。

　　恩智浦半導(dǎo)體高級(jí)產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Norman Stapelberg表示：“我們相信恩智浦的LFPAK在汽車市場(chǎng)中將作為最可靠的功率MOSFET封裝成為新的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。它使汽車OEM廠商能夠開發(fā)更緊湊的模塊?？蛻舻姆答伈粩啾砻?，LFPAK比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的QFN和微引腳器件更可靠。LFPAK的推出表明恩智浦繼續(xù)致力于為汽車工業(yè)開發(fā)并制造低電壓MOSFET。”

　　相對(duì)于市場(chǎng)上所有符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的功率SO-8封裝MOSFET，恩智浦的LFPAK系列產(chǎn)品在5個(gè)電壓級(jí)別上提供最佳的性能和可靠性。

　　主要特點(diǎn)

·  低電感

·  低熱阻

·  與SO8尺寸相媲美

·  厚度遠(yuǎn)低于SO8和DPAK

·  無bonding線-銅片設(shè)計(jì)

·  耐受瞬時(shí)大電流

·  100%突波耐受測(cè)試

·  符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，最高溫度175°C

·  支持引線光學(xué)檢查

　　目標(biāo)應(yīng)用

·  發(fā)動(dòng)機(jī)和變速系統(tǒng)控制器

·  防抱死制動(dòng)系統(tǒng)

·  冷卻泵

·  直流/直流轉(zhuǎn)換器

·  汽車電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)和電動(dòng)液壓助力轉(zhuǎn)向(EHPS)系統(tǒng)

·  電池反向保護(hù)

·  空間考慮最重要時(shí)，用作通用汽車電子切換元件

　　設(shè)計(jì)工具

·  溫度管理設(shè)計(jì)指南

·  Spice模型

·  熱設(shè)計(jì)模型

·  通用SO-8封裝