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          Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
          
						
          
				作者：
				時間：2010-05-05
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/108647.htm

          　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的導通電阻意味著更低的功率損耗，節(jié)省能源，延長兩次充電之間的電池壽命，同時還可以減少發(fā)熱，減小PCB焊盤的面積。對于工業(yè)/通用系統(tǒng)中的電壓達24V的負載切換和熱插拔應用，該MOSFET的低導通電阻還可以減小電壓降。
          

          　　Si7625DN在10V和4.5V下的導通電阻低至7mΩ和11mΩ，這些數(shù)值比此前3.3mmx3.3mm占位面積的30V器件在10和4.5V下的導通電阻分別低30%和39%。
          

          　　新款MOSFET采用了Vishay此前發(fā)布的30V P溝道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封裝。為滿足工業(yè)應用的要求，第三代TrenchFET封裝讓設計者可在具有最大漏電流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分別比SO-8高85%和79%)或節(jié)省空間的PowerPAK 1212-8之間進行選擇。由于占位只有3.3mmx3.3mm，該器件的占位面積只有PowerPAK SO-8或SO-8型封裝的1/3。
          

          　　MOSFET進行了完備的Rg和UIS測試，符合ROHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范。
          

          　　新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第二季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
          

          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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