擴(kuò)大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

　　韓國(guó)媒體Korea Times獨(dú)家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲(chǔ)器廠商提高投資，預(yù)料競(jìng)爭(zhēng)將加劇。

　　除提高投資外，該份名為「財(cái)務(wù)穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營(yíng)收目標(biāo)為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長(zhǎng)20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達(dá)到20%。

　　這份文件是海力士新任社長(zhǎng)權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)上任后2個(gè)月后推出，投資額由3月所提及的2.3兆韓元，大幅拉高至9兆韓元。在最新的計(jì)畫中，海力士預(yù)估2010投資2.5兆韓元、 2011及2012年的投資額分別為3兆、3.5兆韓元。

　　在財(cái)務(wù)方面的目標(biāo)，海力士希望在2012年的營(yíng)收提升至12兆韓元、稅前息前折舊攤提前獲利(EBITDA)為5兆韓元，分別由2010年的目標(biāo)成長(zhǎng)1倍。當(dāng)2007年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)強(qiáng)健，海力士創(chuàng)下?tīng)I(yíng)收的最高紀(jì)錄，金額為8.6 兆韓元。

　　此外，海力士將提高財(cái)務(wù)穩(wěn)健程度，冀望2012年的負(fù)債比下降至20%以下，現(xiàn)金部位提高至4兆韓元;該公司目前的現(xiàn)金約有1.5 兆韓元。

　　除了財(cái)務(wù)層面外，該份文件也指出海力士的長(zhǎng)期成長(zhǎng)策略中，有意加強(qiáng)晶圓代工事業(yè)，與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)程度可能提升。

　　海力士目前仍在替28%的股權(quán)尋找買主，2001年時(shí)的債權(quán)人轉(zhuǎn)變成為股東，但是相當(dāng)積極的希望能夠出脫其持股。

　　海力士在2010年第1季創(chuàng)下自2006年第4季以來(lái)最好的獲利紀(jì)錄，金額達(dá)8,172億韓元。海力士預(yù)期2010年來(lái)自DRAM的營(yíng)收可望上看253億美元，2012年則提升至 304億美元。