東京都市大學(xué)制作出嵌入鍺量子點(diǎn)的硅基LED

　　近日，日本東京都市大學(xué)綜合研究所硅納米科學(xué)研究中心成功開發(fā)出采用鍺(Ge)量子點(diǎn)的硅發(fā)光元件。

　　東京都市大學(xué)工學(xué)部教授、硅納米科學(xué)研究中心主任丸泉琢說明，該發(fā)光元件是在基于硅的pin構(gòu)造元件的i 層中，嵌入了直徑為數(shù)10~100nm的鍺微小粒子，這種粒子具有提高電子和空穴之間重組率的作用，是藉由分子束外延法在約400℃溫度下形成，因此元件的制造工藝與CMOS工藝具有兼容性。

　　該元件活性層部分的直徑約為3μm。已確認(rèn)可在室溫下，通過電流注入可以發(fā)出波長為1.2μm左右的光線。發(fā)光的內(nèi)部量子效率為10-2。另外，如果增加注入電流、發(fā)光強(qiáng)度就會大幅提高的傾向。未來將在2～3年后開發(fā)出作為光開關(guān)工作的元件。