SILICON LABS 超低功耗無(wú)線MCU

　　領(lǐng)先的RF收發(fā)系統(tǒng)

　　Si10xx家族產(chǎn)品同時(shí)集成了EZRadioPRO 系列RF收發(fā)器，擁有很寬的工作頻率范圍， 高靈敏度，多種調(diào)制方式，輸出功率大且可以很方便編程調(diào)節(jié)，發(fā)射功耗非常低,傳輸速率高,有141DB的LINK BUDGET 為業(yè)界領(lǐng)先!

　　>頻率范圍：240-960MHZ

　　>靈敏度：-121dBm

　　>FSK ,GFSK 和OOK

　　>20dBm(Si1010/1) (不需要外加PA ) ,+13 dBm(Si1012/3/4/5)

　　>18mA@+1dBm

　　>85mA@+20dBm

　　>Date rate =256kbps

　　為什么能夠超低功耗工作

　　該芯片由兩部部分組成，超低功耗MCU和射頻發(fā)射功耗低，是此芯片能超低功耗工作的根本原因，MCU 超低功耗的主要原因是：MCU供電是由DC-DC 和LDO組成供電系統(tǒng)MCU供電，這個(gè)系統(tǒng)有兩個(gè)好處，第一，它能實(shí)現(xiàn)單電池供電，可以節(jié)省一個(gè)電池出來(lái)，并聯(lián)給MCU供電，降低電池成本;第二，假設(shè)是雙電池供電，和市面上典型的其他低功耗MCU比較起來(lái)，它就有更大優(yōu)勢(shì)，根據(jù)

　　在正常工作模式下，在F,C恒定時(shí)，我們給MCU供電電壓是電池電壓一半，此時(shí)功耗為市面上典型的其他低功耗MCU四分之一，除去DC-DC(效率比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手效高25%)和LDO 上小部分功率消耗，總功率消耗比市面上的低功耗MCU 還要低很多，大大延長(zhǎng)電池壽命，電池成本減少到原來(lái)的五分之一，而且MCU處于恒定供電電壓,在休眠狀態(tài)下，DC-DC能被關(guān)掉!以下為供電示意圖和市面上典型低功耗MCU功耗對(duì)比圖。

　　CMOS M U C供電圖 市面上典型的MCU 與 silicon-labs si10XX (集成F9XX MCU)功耗對(duì)比圖

　　MCU 超低功耗的另個(gè)一個(gè)原因：?jiǎn)拘褧r(shí)間短，只需2us ! 另外內(nèi)置低功耗的smaRTClock, 射頻發(fā)射電流非常低，在18mA@+1dBm。 故內(nèi)核為C8051F9XX的silicon-si10XX比業(yè)界低功耗的XXMSP430X 功耗低了很多，以下是它們兩個(gè)之間的比較：