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	 > 電源與新能源 > 業(yè)界動態(tài) > IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術的新產(chǎn)品
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術的新產(chǎn)品
          
						
          
				作者：
				時間：2010-07-05
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/110576.htm

          　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現(xiàn)基準性能，適用于網(wǎng)絡和電信設備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關電源(SMPS)及電機驅(qū)動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應用提供優(yōu)化的性能和更低成本。
          

          　　IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“由于新器件的尺寸僅為0.9mm，并具有標準引腳，可提供高額定電流和低導通電阻，因此與需要多個并行元件的解決方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常適合電路板空間狹小的開關應用。”
          

          　　所有器件都具有低熱阻(不到0.5 °C/W)，符合MSL1 標準，所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            IR
                        MOSFET
                        HEXFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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