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	 > 電源與新能源 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-07-05
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/110576.htm

          　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。
          

          　　IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“由于新器件的尺寸僅為0.9mm，并具有標(biāo)準(zhǔn)引腳，可提供高額定電流和低導(dǎo)通電阻，因此與需要多個(gè)并行元件的解決方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常適合電路板空間狹小的開關(guān)應(yīng)用。”
          

          　　所有器件都具有低熱阻(不到0.5 °C/W)，符合MSL1 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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