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          Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-07-14
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/110882.htm

          　　這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)制(PWM)半橋和LLC拓?fù)渲泄?jié)約能源，這些應(yīng)用包括筆記本電腦的交流適配器、PC機(jī)和液晶電視，以及開(kāi)放式電源。
          

          

          　　除了具有低導(dǎo)通電阻，這三款器件的柵極電荷為48nC。柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積低至26.64Ω-nC，該數(shù)值是描述用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET性能的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(FOM)。
          

          　　新款N溝道MOSFET采用Vishay Planar Cell技術(shù)生產(chǎn)，這項(xiàng)技術(shù)為減小通態(tài)電阻進(jìn)行了定制處理，可承受在雪崩和整流模式中的高能量脈沖。與前一代MOSFET相比，SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了開(kāi)關(guān)速度和損耗。
          

          　　這些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并經(jīng)過(guò)了完備的雪崩測(cè)試，以實(shí)現(xiàn)可靠的工作。新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            Vishay
                        MOSFET
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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