3. 

        <meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>
          
	
	
          
		
			
		
          
    
    	
          
  		
          
		    
          
		      
		      
		      
		    
          
  		
          
  		
          
	
          


	


          
		
          
		            
            
        		
          
		
          







          


          
	
	
          
		
          新聞中心
          
	
          
	
          
	
          EEPW首頁 
	 > 電源與新能源 > 新品快遞 > Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級功率MOSFET
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級功率MOSFET
          
						
          
				作者：
				時間：2010-07-30
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
				收藏
			
          

			
          
				
				
			
          

			
          
			
			
          
			
			
          
				
				
			
          
                
			
          　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/111337.htm

          

          　　隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因為按鍵和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度，比同樣采用芯片級封裝的尺寸第二小的N溝道器件小36%，薄11%，能夠?qū)崿F(xiàn)更加小巧且功能更多的終端產(chǎn)品。
          

          　　由于采用無封裝技術(shù)且增大了管芯面積，Si8800EDB的芯片級封裝提供了單位面積上極低的導(dǎo)通電阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的最大導(dǎo)通電阻分別為80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。
          

          　　新器件的典型應(yīng)用包括負(fù)載開關(guān)和手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3播放器和智能手機等便攜式設(shè)備中的小信號切換。Si8800EDB的低導(dǎo)通電阻可延長這些產(chǎn)品中兩次充電之間的電池壽命。
          

          　　Si8800EDB的典型ESD保護為1500V，符合RoHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21定義的無鹵素規(guī)范。
          

          　　新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2010年第二季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
          • 
					
					
			  	
            • 
			  	
          • 
					
					
			  	
            • 
			  	
          • 
					
					
			  	
            • 
				
          • 
					
					
				
            • 
				
          • 
					
					
				
            • 
			
          
			
          
		
          
		
		
          
		
          
			
			
		
          
        
		
          
			
          關(guān)鍵詞：
            			            Vishay
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
          評論
          					
		
          
		
          
			
          
			
				
          
					
					
          
						
                        
					
          
				
          
                		
						
						
			
          
		
          
		
          
		
          
            
			
            
		
          
	
          
	
          
	
          
		

          
	
          
		
          相關(guān)推薦
          					
	
          
	
    
	

          		

          


	
          
	
          
		
		
	
          


    
          
        
          技術(shù)專區(qū)
          
      
          
      
          
			
      
           
       

          

   










          
	
          
	    關(guān)閉
	
          
	
	

          







	
	



          




          


看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人

(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();