IR 推出為 D 類應用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關應用。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/112064.htm新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營,并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化,來改善總諧波失真 (THD) 和提高效率,而低二極管反向恢復電荷 (Qrr) 則進一步改善了總諧波失真,降低了電磁干擾 (EMI) 。
AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封裝尺寸比 SO-8 小,更能夠為沒有散熱片的 8Ω 負載提供每通道 100W 的功率,由此可以提供非常緊湊的 D 類解決方案,是節(jié)省多通道電路板空間的理想選擇。AUIRF7675M2 中罐器件的封裝尺寸比 DPak 小54% ,能夠為沒有散熱片的 4Ω 負載提供每通道 250W 的功率,使其非常適合 D 類音頻系統(tǒng)的亞低音輸出級。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新款 DirectFET®2 器件是對之前推出的 AUIRF7665S2 的補充,為設計師提供了適用 D 類音頻系統(tǒng)不同功率等級的替代額定電壓和導通電阻。”
正如所有的 DirectFET® 產(chǎn)品一樣,新器件提供了最小的熱阻抗以及寄生電阻和電感,能夠提供出色的功率密度和雙面冷卻效率。
新器件符合 AEC-Q101 標準,是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
器件編號 |
封裝 |
Vds |
典型導通電阻 |
最大導通電阻 |
Rg(典型) |
柵極電荷(典型) |
AUIRF7640S2 |
DF2 小罐 |
60V |
27mΩ |
36mΩ |
3.5Ω |
7.3nC |
AUIRF7647S2 |
DF2 小罐 |
100V |
26mΩ |
31mΩ |
1.6Ω |
14nC |
AUIRF7675M2 |
DF2 中罐 |
150V |
47mΩ |
56mΩ |
1.2Ω |
21nC |
數(shù)據(jù)表、應用說明和認證標準可瀏覽 IR 的網(wǎng)站 www.irf.com。IR 還準備了 Spice 和 Saber 模型供索取。
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