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          IR 推出為 D 類應用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET

          作者: 時間:2010-08-25 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 系列,適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關應用。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/112064.htm

            新推出的 AUF7640S2、AUF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 陣營,并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化,來改善總諧波失真 (THD) 和提高效率,而低二極管反向恢復電荷 (Qrr) 則進一步改善了總諧波失真,降低了電磁干擾 (EMI) 。

            AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封裝尺寸比 SO-8 小,更能夠為沒有散熱片的 8Ω 負載提供每通道 100W 的功率,由此可以提供非常緊湊的 D 類解決方案,是節(jié)省多通道電路板空間的理想選擇。AUIRF7675M2 中罐器件的封裝尺寸比 DPak 小54% ,能夠為沒有散熱片的 4Ω 負載提供每通道 250W 的功率,使其非常適合 D 類音頻系統(tǒng)的亞低音輸出級。

            IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新款 DirectFET®2 器件是對之前推出的 AUIRF7665S2 的補充,為設計師提供了適用 D 類音頻系統(tǒng)不同功率等級的替代額定電壓和導通電阻。”

            正如所有的 DirectFET® 產(chǎn)品一樣,新器件提供了最小的熱阻抗以及寄生電阻和電感,能夠提供出色的功率密度和雙面冷卻效率。

            新器件符合 AEC-Q101 標準,是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

            產(chǎn)品規(guī)格

          器件編號

          封裝

          Vds

          典型導通電阻

          最大導通電阻

          Rg典型

          柵極電荷(典型

          AUIRF7640S2

          DF2 小罐

          60V

          27mΩ

          36mΩ

          3.5Ω

          7.3nC

          AUIRF7647S2

          DF2 小罐

          100V

          26mΩ

          31mΩ

          1.6Ω

          14nC

          AUIRF7675M2

          DF2 中罐

          150V

          47mΩ

          56mΩ

          1.2Ω

          21nC

            數(shù)據(jù)表、應用說明和認證標準可瀏覽 IR 的網(wǎng)站 www.irf.com。IR 還準備了 Spice 和 Saber 模型供索取。



          關鍵詞: IR MOSFET

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