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          IR 新型-30V P 溝道功率MOSFET 使設(shè)計更簡單靈活
          
						
          
				作者：
				時間：2010-09-15
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/112694.htm


          
　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。
          

          　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“相比上一代產(chǎn)品，這個新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力，更為客戶提供廣泛的導通電阻選擇，以適應(yīng)他們對溫度和成本的要求。同時，P 溝道技術(shù)也可以簡化電路設(shè)計。”
          

          　　P 溝道 MOSFET器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 標準，所采用的材料不含鉛，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            IR
                        功率MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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