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          Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

          作者: 時(shí)間:2010-09-27 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            光電元件內(nèi)的控制電路示例

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/113045.htm

            關(guān)于光電元件內(nèi)部所內(nèi)置的控制電路,如圖3的(a)~(c)所示,迄今為止提出了以下若干種電路。下面將簡(jiǎn)單地介紹這些電路。

            ?(a)的控制電路

           

            圖3(a) FET型輸出光電耦合器控制電路

            (a)的電路圖是最基本的電路,我們?yōu)榱思涌鞌嚅_(kāi)時(shí)間,使輸出MOS的柵極電荷在斷開(kāi)時(shí)放電,因此在柵極?源極之間連接固定電阻。但是,在接通電路時(shí),為了使輸出MOS的柵極容量得到充電,使用了光電二極管陣列(P.D.A),其產(chǎn)生的光電流在通過(guò)該電阻時(shí)會(huì)發(fā)生漏電,從而導(dǎo)致接通時(shí)間變長(zhǎng)。

            另外,還存在以下缺點(diǎn):如圖4所示,相對(duì)于輸入電流的變化,輸出電流也平緩地發(fā)生變化,因此轉(zhuǎn)換元件所要求的速動(dòng)性會(huì)變差,另外因溫度變化所引起的特性變動(dòng)也較大。

            ?(b)的控制電路

           

            圖3(b) FET型輸出光電耦合器控制電路

            該電路的速動(dòng)性要比(a)電路好,但是,由于插入在輸出MOS柵極?源極之間的晶體管為常開(kāi)型,因此抗外來(lái)干擾性較差。

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          關(guān)鍵詞: Panansonic PhotoMOS MOSFET

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