Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET
—— 現(xiàn)已實現(xiàn)量產(chǎn)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻,柵極電荷減小到216nC,采用TO-247封裝。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/114213.htm柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM),SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC,是業(yè)界此類器件當中最低的。
SiHG47N60S的低導通電阻意味著更低的傳導損耗,從而在太陽能電池和風力發(fā)電機的逆變器、通信、服務(wù)器和電機控制電源應(yīng)用中的逆變器電路和脈寬調(diào)制(PWM)全橋拓撲中節(jié)約能源。
新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術(shù)制造,這種技術(shù)為減小通態(tài)電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC,為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試。
新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。
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