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          Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET 
          
						
          —— 現(xiàn)已實現(xiàn)量產(chǎn) 
          
						
          
				作者：
				時間：2010-11-04
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/114213.htm

          　　柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業(yè)界此類器件當中最低的。
          

          　　SiHG47N60S的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而在太陽能電池和風力發(fā)電機的逆變器、通信、服務(wù)器和電機控制電源應(yīng)用中的逆變器電路和脈寬調(diào)制(PWM)全橋拓撲中節(jié)約能源。
          

          　　新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術(shù)制造，這種技術(shù)為減小通態(tài)電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試。
          

          　　新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。
          
				
            
                
			
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                        Siliconix
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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