硅基MEMS制造技術分析

　　由圖4可見，中國權利人/申請人大多選擇在國內(nèi)進行專利布局，而發(fā)達國家的布局和相對的比例與在美國的專利布局形式?jīng)]有太大區(qū)別。需要特別說明的是，日本權利人/申請人的專利含金量最高，不僅已公開的專利申請全部為發(fā)明專利，且發(fā)明專利獲得授權的比例在所有國家中最高。

　　在華擁有最多MEMS技術相關專利的權利人/申請人主要為國內(nèi)科研機構(gòu)與大專院校。排名前三的分別為上海交大、清華大學與北京大學。與前述國別分布相對應的是，只有IBM與三星兩家國外企業(yè)進入前十。

　　從國內(nèi)省市中領先的專利權人來看，我國在多種微型傳感器、微型執(zhí)行器和若干微系統(tǒng)樣機等方面已有一定的基礎和技術儲備，初步形成了幾個MEMS研究力量比較集中的地區(qū)。以上海北京兩大研發(fā)基地為領頭，上海交大、上海微系統(tǒng)所以及北大清華成為各自的科研代表。

　　外企在中國專利布局未形成

　　通過硅基MEMS制造技術領域中美兩國專利情況比對分析，可以得出以下結(jié)論：

　　一、美國專利數(shù)量遠多于中國專利，國外技術研發(fā)水平大幅領先。經(jīng)過對比可知，硅基MEMS制造技術領域美國專利數(shù)量遠多于中國。其中，美國授權專利數(shù)量達4411件，公開專利申請總量達6648件。而該領域已公開中國專利申請總量為1799件，其中發(fā)明專利為1659件，實用新型為140件。已獲得授權的發(fā)明專利數(shù)量為704件。

　　通過專利量年度分布可看出，近年美國授權專利以及專利申請量趨于平穩(wěn)，表明該領域已從創(chuàng)新活躍階段逐步變?yōu)槌墒彀l(fā)展階段。中國專利量持續(xù)上揚，說明國內(nèi)在該領域的研發(fā)逐步活躍，但趕上國外先進水平尚需時日。

　　二、專利集中度較高，國外產(chǎn)業(yè)化程度明顯高于國內(nèi)。該領域美國專利主要集中在美國、日本和韓國的大公司，而國內(nèi)尚無公司占據(jù)一席之地。在美國的專利權人/申請人排名前幾位的皆為商業(yè)化運作較為成功的公司，如Honeywell、英特爾、三星等，而國內(nèi)專利權人/申請人排名前幾位的基本都為高校和科研院所，排名靠前的企業(yè)都是國外企業(yè)。相較于國內(nèi)重研究輕產(chǎn)業(yè)化的運作模式，國外更重視技術研發(fā)后的產(chǎn)業(yè)化推廣和應用。因此，國內(nèi)企業(yè)應當重點關注專利技術成果的商業(yè)轉(zhuǎn)化，避免被國外企業(yè)搶占技術制高點，繼而受制于人。

　　(三)國外企業(yè)在中國的專利布局尚未形成，中國企業(yè)應積極部署有針對性的專利。通過分析，國外企業(yè)在國內(nèi)申請專利數(shù)量較少，排名靠前的僅有美國IBM公司和韓國三星公司，整體專利布局尚未形成。而國內(nèi)企業(yè)在專利總量上遠超國外企業(yè)，國內(nèi)企業(yè)應趁此機遇加快研發(fā)進度，申請更多有針對性的專利，并在海外積極申請重要專利，逐步打破該領域的國外技術壁壘。