氧化物TFT成為今年IDW主角

　　東芝：通過中間退火工藝來(lái)確保可靠性

　　東芝發(fā)表了通過優(yōu)化中間退火工藝確保了可靠性的IGZO TFT(演講編號(hào)：AMD9-2)。TFT的構(gòu)造為帶有刻蝕阻擋層的反錯(cuò)列型(Inverted Staggered Type)。與形成S/D金屬后在N2氣體中進(jìn)行250℃最終退火不同，此次是在形成刻蝕阻擋層后加入了320℃中間退火工序，使可靠性得到了提高。雖然個(gè)人認(rèn)為通過追加中間退火來(lái)提高可靠性是較為合理的做法，但還有不同見解認(rèn)為，“通過在2%的H2中進(jìn)行200℃混合氣體退火，也可憑借陷阱密度的減少使可靠性得到改善”。

　　東芝利用該IGZO TFT試制了有機(jī)EL面板。面板的指標(biāo)如下。3.0英寸，160×RGB×120像素，像素電路為簡(jiǎn)單的2T 1C，底面發(fā)光型，采用“白色有機(jī)EL+彩色濾光片”方式。開口率為40%。發(fā)光范圍內(nèi)(36點(diǎn)檢測(cè))的發(fā)光均一度為1.1%(50cd/m2)，TFT的均一性出色，無(wú)需配備偏差補(bǔ)償電路。

　　工藝開發(fā)趨勢(shì)日益明顯

　　此次的IDW凸顯出了氧化物TFT在工藝開發(fā)上的大趨勢(shì)。在非結(jié)晶硅及多結(jié)晶硅TFT領(lǐng)域，業(yè)界正在開發(fā)通過氫化處理填充懸空鍵后盡量去除氫的工藝，而在氧化物TFT方面，由于氫會(huì)導(dǎo)致氧缺陷，因此還需要開發(fā)盡量減少氫影響的工藝。由不得不加入的氫所導(dǎo)致的缺陷必須要通過后退火進(jìn)行恢復(fù)。相反，只要能夠充分控制這一氫影響，實(shí)用化就只是時(shí)間問題了。