三星TSV應用DRAM模塊首次實現(xiàn)商用化

　　據(jù)南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)應用可大幅提升內存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產品，10月時已裝設在客戶商服務器上，完成產品測試。

　　之前雖有應用3D-TSV技術成功開發(fā)出產品的案例，但這是首次開發(fā)出真正能商用化的產品。3D-TSV技術是將數(shù)十微米厚的硅晶圓(Silicon Wafer)直接在薄芯片上穿洞，同樣的芯片以垂直方式集積穿透，是相當尖端的封裝技法。

　　集積2顆2Gb DRAM時容量增加至4Gb，若集積4顆，則容量為8Gb。一般為擴充內存容量，皆采用制程微細化方式增加單項產品容量，近來該技術面臨瓶頸，因此內存業(yè)者正嘗試運用TSV技術增加容量。

　　TSV以線路連接層迭的芯片，相較于以前使用電子封線(Wire Bonding)方式制作的產品速度較快且減小芯片厚度及耗電量。此外，新產品可呈現(xiàn)較舊產品多2~4倍大容量，搭載在服務器的內存容量增加，服務器系統(tǒng)的功能至少可提升50%以上。

　　將2Gb芯片以電子封線方式層積的大容量RDIMM產品在服務器中以800Mps速度運作，運用3D-TSC方式層積的大容量RDIMM反應速度提升近70%，達1,333Mbps。

　　三星2011年后將會在4Gb以上大容量DDR3 DRAM產品采用3D-TSV技術，以因應32GB以上大容量服務器用內存產品需求。

　　三星半導體事業(yè)部內存商品企劃專務金昌鉉表示，2008年開發(fā)出3D-TSV層積芯片，這次將開發(fā)服務器用內存模塊，提供客戶最佳性能的親環(huán)境服務器。未來也將以3D-TSV技術為基礎，持續(xù)推出大容量內存解決方案，主導能牽引高性能服務器市場成長的親環(huán)境內存市場。