國(guó)際整流器公司擴(kuò)大汽車專用MOSFET 組合

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。

　　經(jīng)過優(yōu)化的新型車用 MOSFET 系列在 55V 電壓下可提供低至8 mΩ 的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。此外，邏輯電平 MOSFET 器件簡(jiǎn)化了柵極驅(qū)動(dòng)需求，同時(shí)減少了電路板占用空間和元件數(shù)量。

　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“我們擴(kuò)充后的包括邏輯電平器件在內(nèi)的車用 MOSFET 系列，為客戶在選擇符合其設(shè)計(jì)要求的電壓、封裝和功能方面提供了更好的選擇，而 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的硅技術(shù)更為客戶提供了保證。”

　　新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 溝道技術(shù)開發(fā)。所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1, 000 次溫度循環(huán)測(cè)試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過 20%。然而，經(jīng)過延長(zhǎng)測(cè)試后，IR 的新款A(yù)U 材料在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化只有 12%，體現(xiàn)了這款材料的高強(qiáng)度和耐用性。

　　新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。

　　經(jīng)過優(yōu)化的新型車用 MOSFET 系列在 55V 電壓下可提供低至8 mΩ 的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。此外，邏輯電平 MOSFET 器件簡(jiǎn)化了柵極驅(qū)動(dòng)需求，同時(shí)減少了電路板占用空間和元件數(shù)量。

　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“我們擴(kuò)充后的包括邏輯電平器件在內(nèi)的車用 MOSFET 系列，為客戶在選擇符合其設(shè)計(jì)要求的電壓、封裝和功能方面提供了更好的選擇，而 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的硅技術(shù)更為客戶提供了保證。”

　　新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 溝道技術(shù)開發(fā)。所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1, 000 次溫度循環(huán)測(cè)試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過 20%。然而，經(jīng)過延長(zhǎng)測(cè)試后，IR 的新款A(yù)U 材料在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化只有 12%，體現(xiàn)了這款材料的高強(qiáng)度和耐用性。

　　新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。