賽普拉斯最新推出65-nm 36-Mbit 和18-Mbit器件

　　RAM業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速™ (QDR™) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM 系列產(chǎn)品中的最新成員。這些新的存儲(chǔ)器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步SRAM產(chǎn)品線，最高容量可達(dá)144Mbit，速度最快可達(dá)550MHz。賽普拉斯擁有專利的工藝技術(shù)最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領(lǐng)了“綠色”網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)應(yīng)用的新潮流。

　　這些新器件可從外形、功能等方面向下兼容已被廣泛采用的90-nmQDRII/QDRII+ SRAM(估計(jì)采用量遠(yuǎn)超6000萬(wàn)片)，并且他們完全符合QDR聯(lián)合會(huì)的標(biāo)準(zhǔn)。如此的兼容性允許現(xiàn)有產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者無(wú)需改變板卡設(shè)計(jì)即可很方便地升級(jí)系統(tǒng)性能。65-nm SRAM是網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用(包括骨干和邊緣路由器、固定和模塊化以太網(wǎng)交換機(jī)、3G基站和安全路由器)的理想選擇。他們還能改善醫(yī)用成像設(shè)備和軍用信號(hào)處理系統(tǒng)的性能。QDRII+ 和 DDRII+器件具有片內(nèi)終結(jié)器(ODT)，因其省去了外部終結(jié)電阻，所以能夠改善信號(hào)完整性、降低系統(tǒng)成本并節(jié)省板級(jí)空間。

　　賽普拉斯負(fù)責(zé)同步SRAM產(chǎn)品的副總裁Dave Kranzler說(shuō)：“作為SRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，我們一直致力于提供最完整的高性能SRAM產(chǎn)品線，提升客戶產(chǎn)品的性價(jià)比，使之在市場(chǎng)上更具競(jìng)爭(zhēng)力。賽普拉斯已經(jīng)向全球超過(guò)150個(gè)客戶發(fā)運(yùn)了超過(guò)100萬(wàn)片65-nm SRAM，從而奠定了我們?cè)诟咝阅躍RAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

　　賽普拉斯的SRAM產(chǎn)品線包括有鉛和無(wú)鉛封裝，分商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)和軍用級(jí)，并且具有多種接口配置和性能范圍可供選擇。賽普拉斯還可與客戶共同開(kāi)發(fā)針對(duì)特定應(yīng)用需求的解決方案。