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          ST車用大電流功率場效應晶體管導通電阻

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          作者: 時間:2006-03-06 來源: 收藏
            意法半導體日前針對汽車市場推出新的大電流功率場效應MOS晶體管,該產品采用最新優(yōu)化的ripFET專利技術,實現(xiàn)了最低的導通。

            據(jù)介紹,D95N04是一個40V標準電平的DPAK產品,最大導通RDS(on)6.5mΩ,專門為DC-DC轉換器、電機控制、電磁閥驅動器和ABS設計的。新產品的典型RDS(on)在5mΩ區(qū)間內,能夠滿足標準閾壓的驅動要求。STD95N04符合汽車電工理事會組件技術委員會針對汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作溫度175℃,100%通過雪崩測試。 

            STripFET技術以密度大幅度提高的單元為基礎,導通和功耗比上一代技術更低,占用的硅片面積更少。正在開發(fā)的其它的功率場效應MOS晶體管將采用相同的技術,以滿足DPAK和D2PAK的需求。

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