三星電子擬推新1GB移動DRAM

　　三星電子宣布，計劃推出裝有新寬I/O接口的1GB移動DRAM，以應用于智能手機和平板電腦等移動設備，將采用50納米級工藝技術，傳輸速度可達12.8GB/秒。

　　韓國三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)2月21日宣布，這家先進內存技術領域的全球龍頭企業(yè)正在開發(fā)裝有寬I/O接口的1GB移動DRAM(dynamic random access memory)，將使用50納米級工藝技術。新的寬I/O移動DRAM將被用于移動應用設備，諸如智能手機和平板電腦。

　　三星電子高級副總裁、存儲產品規(guī)劃與應用工程師Byungse So表示，“繼2010年開發(fā)出4GB的LPDDR2 DRAM(低功耗DDR2 DRAM)后，裝有I/O接口的新款移動DRAM解決方案將為高性能移動產品的進步做出重要貢獻。”他表示，“我們將繼續(xù)積極拓展高性能移動存儲產品陣容，以進一步推進移動產業(yè)的成長。”

　　全新的1GB寬I/O移動DRAM數據傳輸速度可達12.8GB/秒，相當于移動DDR DRAM帶寬(1.6GB/秒)的八倍，LPDDR2 DRAM貸款(約達3.2GB/秒)的四倍，同時將減少大約87%的功耗。

　　為了提高數據傳輸，三星的寬I/O DRAM使用了512根引腳進行數據輸入和輸出，相比之下，早期的移動DRAM采用了最多32根引腳。如果計入發(fā)送指令和調節(jié)電源的引腳，則單一三星寬I/O DRAM計劃將配有大約1,200根引腳。

　　推出這一寬I/O DRAM之后，三星電子計劃在2013年內推出20納米級4GB寬I/O移動DRAM。該公司最近在移動DRAM領域取得的成就包括在2009年推出首個 50納米級LPDDR2 1GB DRAM，以及在2010年推出首個40納米級 2GB LPDDR2 DRAM。

　　三星將在2011的ISSCC (International Solid-State Circuits Conference)會議上呈現一份有關廣泛I/O DRAM技術的文件，此次大會將于從2月20日至24日在舊金山舉行。

　　根據iSuppli，到2014年，移動DRAM占年度DRAM總出貨量的比例將從2010年的11.1%增加至約16.5%。