海力士開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

　　全球第二大計算機內(nèi)存芯片廠商海力士半導體周三稱，它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。

　　海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術)的新技術，海力士成功地在一個芯片封裝中堆疊了8個2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術與以前的技術相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。

　　海力士稱，這個成就標志著全球第一個在一個芯片封裝中集成16GB內(nèi)存。制作稱內(nèi)存模塊之后，一個內(nèi)存模塊的最大容量可達64GB，可廣泛應用以滿足服務器和其它產(chǎn)品對大容量內(nèi)存的需求。

　　海力士副總裁Hong Sung-joo在聲明中稱，使用TSV技術的大容量內(nèi)存生產(chǎn)技術將在2、3年內(nèi)成為內(nèi)存行業(yè)的核心部分。