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          Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

          —— 刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄
          作者: 時(shí)間:2011-03-17 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            日前, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率---。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝,具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/117806.htm

            新的 可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,以及智能手機(jī)、MP3播放器、平板電腦和電子書等手持設(shè)備中的充電和負(fù)載開關(guān)。更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,從而在這些設(shè)備中節(jié)省電能并延長(zhǎng)兩次充電之間的電池壽命。

            在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V時(shí)分別具有54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的超低導(dǎo)通電阻。具有8V柵源電壓等級(jí)且性能最接近的P溝道器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5 V時(shí)的導(dǎo)通電阻為60mΩ、80mΩ、110mΩ和170mΩ,分別比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。

            在1.5V電壓下就能導(dǎo)通,因而能夠配合手持設(shè)備中常用的電壓更低的柵極驅(qū)動(dòng)器和更低的總線電壓一起工作,不需要在電平轉(zhuǎn)換電路上浪費(fèi)空間和成本。SiA923EDJ的低導(dǎo)通電阻使其在峰值電流下的電壓降更小,能夠更好地防止有害的欠壓鎖定事件。緊湊的2mmx 2mm PowerPAK SC-70封裝只有TSOP-6的一半大小,而導(dǎo)通電阻則相近或更佳,并且在相同環(huán)境條件下的散熱多65%。

            SiA923EDJ經(jīng)過了100%的Rg測(cè)試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范及RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護(hù)達(dá)2500V。

            SiA923EDJ與此前發(fā)布的具有12V最大柵源電壓等級(jí)的20V SiA921EDJ P溝道MOSFET互為補(bǔ)充。隨著SiA923EDJ的發(fā)布,設(shè)計(jì)者現(xiàn)在可以從具有更高柵極驅(qū)動(dòng)電壓的SiA921EDJ或具有更低閾值電壓及更低導(dǎo)通電阻的器件當(dāng)中選擇合適的產(chǎn)品。

            新款SiA923EDJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。



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