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          Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導(dǎo)通電阻記錄

          —— 現(xiàn)已開(kāi)始量產(chǎn)
          作者: 時(shí)間:2011-03-31 來(lái)源:慧聰電子網(wǎng) 收藏

            賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET®功率---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK®SO-8封裝,具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數(shù)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/118267.htm

            40V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?,在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最接近的競(jìng)爭(zhēng)低4%,而4.5V下的FOM則低15.5%。

            60V SiR662DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為2.7m?和3.5m?,在10V和4.5V下的FOM分別為172.8m?-nC和105m?-nC。器件在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別比最接近的同檔次分別低3.5%和27%,在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。在器件的整個(gè)工作范圍內(nèi),低導(dǎo)通電阻和低FOM將能夠減少開(kāi)關(guān)損耗。

            兩款器件在制造過(guò)程中采用了一種新的硅技術(shù),該技術(shù)使用了優(yōu)化的溝槽密度和特殊的柵極結(jié)構(gòu)。對(duì)于設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō),更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,從而降低功耗,尤其是在重載的情況下。器件的低FOM能夠降低高頻和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損耗,特別是在輕負(fù)載和待機(jī)模式下。器件的高頻率使設(shè)計(jì)者能夠增加其系統(tǒng)的功率密度,或是同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的功率損耗和更綠色的應(yīng)用方案。

            SiR662DP和SiR640DP適用于DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器中的次級(jí)側(cè)同步整流、DC/DC轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載點(diǎn)模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、橋式逆變器和替代機(jī)械式繼電器的應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括通信電源、工業(yè)自動(dòng)化和專業(yè)游戲機(jī)、不間斷電源(UPS)和消費(fèi)類應(yīng)用。

            MOSFET的電壓等級(jí)為4.5V,使許多設(shè)計(jì)者能夠在其系統(tǒng)中使用現(xiàn)有的給數(shù)字邏輯電路供電的5V電源軌,無(wú)需再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。4.5V電壓等級(jí)還能夠大幅降低柵極驅(qū)動(dòng)的損耗,同時(shí)還能夠使用電壓更低、成本更低的5VPWMIC。

            兩款芯片均經(jīng)過(guò)了100%的Rg和UIS測(cè)試,符合IEC61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC。

            SiR662DP和SiR640DP現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十六周。



          關(guān)鍵詞: MOSFET 最低導(dǎo)通電阻

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