LTE時(shí)代本土芯片的機(jī)會(huì)在哪里？

　　LTE開始規(guī)模測(cè)試，兼容TDS是必選項(xiàng)

　　雖然今年中移動(dòng)的TDS終端銷售目標(biāo)是4000萬(wàn)，比去年的2500萬(wàn)大增，但是中移動(dòng)同時(shí)也正式開始了6+1城市的TD-LTE規(guī)模測(cè)試。

　　耿學(xué)鋒表示LTE規(guī)模試驗(yàn)將分為兩階段。即今年5-9月為第一階段，進(jìn)行TD-LTE單模測(cè)試，完成單模主要技術(shù)驗(yàn)證，5月完成招標(biāo)工作，5-8月完成產(chǎn)品交付。終端主要是數(shù)據(jù)卡與接入網(wǎng)關(guān)(LTE轉(zhuǎn)WiFi);今年10月-明年3月為第二階段，進(jìn)行TDD/FDD多模測(cè)試，分階段完成LTE多模主要技術(shù)驗(yàn)證，2011年8月完成招標(biāo)工作。2011年10月-2012年2月完成產(chǎn)品交付，產(chǎn)品必須支持TDD與FDD共模。2012年7-12月實(shí)現(xiàn)小批量的驗(yàn)證，產(chǎn)品完善、與供貨。

　　雖然TD-LTE的規(guī)模測(cè)試剛開始，但是巨大的市場(chǎng)前景已引來(lái)如前文所述十家芯片公司加入，比之前的TDS芯片廠商數(shù)量增加了一倍多。除了已經(jīng)通過2x2場(chǎng)測(cè)的海思半導(dǎo)體與創(chuàng)毅視訊，包括聯(lián)芯科技術(shù)、中興微電子、高通、展訊、STE、Marvell、重郵、東芯、Sequace、聯(lián)發(fā)科技等都可能進(jìn)來(lái)。TDS芯片市場(chǎng)已由一個(gè)區(qū)域市場(chǎng)的芯片之爭(zhēng)變成全球芯片廠商之爭(zhēng)，而首先通過場(chǎng)測(cè)的兩家并不是早前TDS芯片的供應(yīng)商，且他們的單模LTE也不能兼容TDS，這讓人們不禁產(chǎn)生懷疑，中移動(dòng)是不是要放棄TDS?

　　“當(dāng)然不會(huì)。”魏然在會(huì)上非?？隙ǖ幕卮穑?ldquo;不管是單模的TDD-LTE，還是雙模的TDD/FDD-LTE，還是其它TD終端，都必須兼容TDS標(biāo)準(zhǔn)。”今年，中移動(dòng)計(jì)劃要將TDS的基站擴(kuò)建達(dá)到達(dá)22-25萬(wàn)，中移動(dòng)向LTE升級(jí)不可能放棄現(xiàn)有的巨大投入，這也是為了保證消費(fèi)者的利益。

　　聯(lián)芯科技副總裁劉迪軍也對(duì)昌旭表示：“從我們了解的情況下來(lái)，工信部、中移動(dòng)的態(tài)度都是要向后兼容TDS，這也沒有什么可爭(zhēng)論的。”劉迪軍也順便解釋了下為什么聯(lián)芯科技沒有出現(xiàn)在第一波場(chǎng)測(cè)IC公司的名單中。“我們認(rèn)為要拿出滿足多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，且性能穩(wěn)定、功耗指標(biāo)都能滿足消費(fèi)者要求的芯片，而不是搶一個(gè)噱頭。”他解釋道，目前市場(chǎng)上已提供的TDD-LTE芯片不僅不能支持TDS，而且功耗也不能接受。“去年世博會(huì)上演示的產(chǎn)品還需要外接電源來(lái)驅(qū)動(dòng)。這個(gè)用戶肯定是不能接受的。”

　　雖然不是第一個(gè)通過場(chǎng)測(cè)，但聯(lián)芯科目前已拿出了可以支持TD-LTE/TD-HSPA的雙?；鶐酒?mdash;—LC1760，也是目前第一款可同時(shí)支持TDD與TDS的芯片。劉迪軍表示該芯片將參加中移動(dòng)六個(gè)城市的規(guī)模場(chǎng)測(cè)。“基于該芯片的數(shù)據(jù)卡，實(shí)測(cè)功耗僅為2.2W，基本上能滿足數(shù)據(jù)卡的需求。”劉迪軍表示，“下一步我們將通過優(yōu)化將功耗進(jìn)一步降低至1.5-1.8W。同時(shí)明年我們將推出支持TDD與FDD的共模LTE芯片——LC1761，并采用先進(jìn)的40nm工藝。”

　　除了聯(lián)芯科技外，據(jù)昌旭了解，中興微電子的TDD-LTE也是向后兼容TDS的雙模芯片。海思也準(zhǔn)備推出兼容TDS的新版本。“TD-LTE的建設(shè)將以芯片的進(jìn)展為軸心，以芯片的進(jìn)度來(lái)考慮。” 工信部電信研究院通信標(biāo)準(zhǔn)研究所魏然在會(huì)上表示。顯而易見，芯片仍是TD發(fā)展的短板。

　　“TD-LTE目前的情況有些像是2004年TDS的建設(shè)情況，TDS經(jīng)過了五年的時(shí)間到2009年才規(guī)模商用。一般來(lái)說，從網(wǎng)絡(luò)測(cè)試到規(guī)模商用的時(shí)間大概為5年，LTE也會(huì)走差不多的時(shí)間曲線。所以，未來(lái)幾年TDS的增長(zhǎng)前景仍是非常可觀的。”劉光軍表示。這也正如TDIA秘書長(zhǎng)楊驊所述：“2011年TDS產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入井噴期。”

　　TDS招標(biāo)面向中高端，AP廠商哪些獲益?

　　經(jīng)過二年多的商用，中移動(dòng)今年TDS終端的目標(biāo)明顯地鎖定在中高端手機(jī)市場(chǎng)，包括平板電腦。耿學(xué)鋒透露，今年第一批的1200萬(wàn)中高端TDS終端招標(biāo)中，對(duì)于高端智能手機(jī)的要求是AP必須在1Ghz主頻以上。目前入選的前三大AP廠商是：nVida，TI與高通。Marvell也有一些份額。

　　由于歷史原因，目前幾大主流TDS基帶芯片廠商都不能直接支持高端智能手機(jī)，需要采用BB+AP的形式，這無(wú)疑增加了成本。所以，像WCDMA的發(fā)展一樣，BB與AP集成一定是趨勢(shì)，但是通信的穩(wěn)定性仍是TDS手機(jī)的重要考慮因素，“不能僅僅考量手機(jī)的多媒體功能。”耿學(xué)鋒表示，“聯(lián)芯科技對(duì)于終端的底層優(yōu)化作出很大貢獻(xiàn)。”據(jù)悉，聯(lián)芯科也正在研發(fā)一款集成BB+AP的高端智能TDS手機(jī)芯片，采用了A9內(nèi)核，主頻提升到1Ghz以上。計(jì)劃明年6月進(jìn)入量產(chǎn)。