惠普開發(fā)記憶電阻器項目取得進展

　　據(jù)國外媒體報道，惠普科學(xué)家在開發(fā)名為“memristors”(記憶電阻器)的下一代內(nèi)存技術(shù)方面取得了小的突破。一些人認(rèn)為，這種技術(shù)有可能取代目前廣泛應(yīng)用的閃存和DRAM內(nèi)存技術(shù)。惠普科學(xué)家本周一在《納米技術(shù)》雜志上發(fā)表的論文中稱，他們已經(jīng)描繪出記憶電阻器在電子運行期間內(nèi)部發(fā)生的情況的基本化學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。

　　惠普高級研究員斯坦·威廉斯(Stan Williams)稱，以前，雖然可工作的記憶電阻器已經(jīng)在實驗室中制作成功，但是，科學(xué)家還不確切地知道這個微小的結(jié)構(gòu)中在發(fā)生什么事情。但是，惠普有信心實現(xiàn)這個技術(shù)的商品化，這個新發(fā)現(xiàn)能夠讓惠普顯著改善它的性能。

　　記憶電阻器是加州大學(xué)伯克利分校的一位教授在1971年首次闡明的。在此之前，科學(xué)家僅知道三個基本電路元件：電阻器、電容器和電感器。蔡少棠(Leon Chua)教授把記憶電阻器稱作第四個元件。

　　幾十年后，惠普科學(xué)家證明記憶電阻器是存在的，并且證明他們能夠讓記憶電阻器在兩個或者更多的電阻級別上來回交換，這就使它們能夠代表數(shù)字計算中的1和0。威廉斯表示，他個人預(yù)計惠普的記憶電阻器技術(shù)將在2013年年中開始商業(yè)性提供。不過，威廉斯稱，這不是惠普公司的官方承諾。