據(jù)稱三星完成3D芯片準(zhǔn)備工作

　　據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生產(chǎn)系統(tǒng)的建構(gòu)，正準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。近來英特爾(Intel)宣告領(lǐng)先全球開發(fā)出3D芯片，三星也表示持有相當(dāng)數(shù)量的相關(guān)技術(shù)，且已確保量產(chǎn)技術(shù)。

　　業(yè)界專家認(rèn)為，在行動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)市場(chǎng)上初嶄露頭角的三星，透過引進(jìn)英特爾3D技術(shù)，為進(jìn)入市場(chǎng)已籌備一段時(shí)間。據(jù)南韓相關(guān)業(yè)者表示，三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部不只確保多項(xiàng)3D芯片制程技術(shù)，也已完成量產(chǎn)系統(tǒng)架構(gòu)，目前正在討論何時(shí)投入量產(chǎn)。

　　三星投入量產(chǎn)的時(shí)程，可能與英特爾使用3D芯片技術(shù)制作Ivy Bridge的生產(chǎn)時(shí)期相近。也就是說三星和英特爾間使用3D芯片制程技術(shù)生產(chǎn)芯片的競(jìng)爭(zhēng)，將會(huì)在2011年內(nèi)正式展開。

　　三星所持有的3D芯片制程技術(shù)與英特爾所發(fā)表的3D芯片技術(shù)「tri-gate」，雖然基本理論相同，但形態(tài)完全相異，因此未來應(yīng)不會(huì)發(fā)生專利侵權(quán)相關(guān)問題。

　　外電指出，三星自2006年起將3D芯片技術(shù)應(yīng)用在50奈米1Gb DRAM，比英特爾更早掌握以3D立體結(jié)構(gòu)生產(chǎn)芯片的訣竅。3D制程技術(shù)可應(yīng)用在20奈米半導(dǎo)體，行動(dòng)應(yīng)用處理器的微細(xì)制程競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)必也將越演越烈。

　　南韓業(yè)界專家表示，雖然與生產(chǎn)內(nèi)存芯片有很大差異，但使用3D技數(shù)量產(chǎn)基本上是相同的，因此三星系統(tǒng)LSI事業(yè)部在生產(chǎn)3D芯片上應(yīng)不會(huì)遇到太大困難，而最重要的產(chǎn)品性能就必須待產(chǎn)品上市后，才能進(jìn)行觀察。

　　三星相關(guān)人員表示，三星已確保3D芯片制程技術(shù)，但目前的行動(dòng)應(yīng)用處理器產(chǎn)品已可充分滿足客戶要求的水平，認(rèn)為沒有立即量產(chǎn)的必要性，將持續(xù)觀察適合投入量產(chǎn)時(shí)機(jī)。