恩智浦NextPower MOSFET具有行業(yè)最低RDS (on)
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恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關(guān)應(yīng)用的理想之選。傳統(tǒng)方法主要著眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則采用超結(jié)技術(shù)來優(yōu)化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡，從而實現(xiàn)強大的開關(guān)性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅固的Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環(huán)境下提供出色的功率開關(guān)功能。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/119977.htm事實/要點：
· 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六個參數(shù)方面性能表現(xiàn)優(yōu)異：
低RDS (on) —— 擁有行業(yè)最低RDS(on)的Power-SO8封裝產(chǎn)品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing應(yīng)用下具有I2R損耗低、性能出色的特點
低Qoss，有利于減少漏極與源引腳之間的損耗，當輸出引腳上出現(xiàn)電壓變化時，還可減少輸出電容 (Coss) 中存儲的損耗能量
低Miller電荷 (Qgd)，有利于減少開關(guān)損耗和高頻開關(guān)次數(shù)
SOA性能可以極好地承受過載和故障條件
低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅(qū)動電路中的損耗
出色的額定結(jié)點溫度Tj(max)，堅固型Power-SO8 LFPAK封裝則為條件惡劣且對可靠性要求較高的環(huán)境提供了保障
· 主要應(yīng)用領(lǐng)域包括同步降壓穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換、穩(wěn)壓器模塊和功率OR-ing
積極評價：
· 恩智浦半導(dǎo)體功率MOSFET部營銷經(jīng)理Charles Limonard表示：“在25V和30V條件下實現(xiàn)行業(yè)最低的RDS (on)，這只是其突出表現(xiàn)的一部分。最新NextPower器件的真正突破在于，我們還可以控制MOSFET行為的各個方面——超越導(dǎo)通電阻和柵極電荷——為開關(guān)應(yīng)用帶來高性能、高可靠性和最大功效。”
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