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          飛兆半導(dǎo)體推出60V PowerTrench MOSFET器件

          —— 具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗
          作者: 時間:2011-06-07 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,以及服務(wù)器的次級同步整流應(yīng)用的設(shè)計人員,需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的器件以期提高設(shè)計的效率。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/120125.htm

            為了滿足這一需求,全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司( Semiconductor)開發(fā)出N溝道PowerTrench® 器件FDMS86500L,該器件經(jīng)專門設(shè)計以最大限度地減小傳導(dǎo)損耗和開關(guān)節(jié)點振鈴,并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率。

            FDMS86500L是采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5mm x 6mm Power 56封裝的器件,它結(jié)合了先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù),顯著降低了導(dǎo)通阻抗RDS(ON) (2.5m? @ VGS = 10V, ID=25A),實現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗。

            此外,F(xiàn)DMS86500L使用屏蔽柵極功率技術(shù),提供極低的開關(guān)損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.),結(jié)合該器件的低傳導(dǎo)損耗,可為設(shè)計人員提供其所需的更高的功率密度。

            FDMS86500L MOSFET器件具有更好的品質(zhì)因數(shù)(RDS(ON) * QG),提供高效率和低功耗,以期滿足效率標(biāo)準(zhǔn)和法規(guī)的要求。

            FDMS86500L器件的其它特性包括采用下一代增強型體二極管技術(shù)以實現(xiàn)軟恢復(fù);MSL1穩(wěn)固封裝設(shè)計;經(jīng)過100% UIL測試,并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

            FDMS86500L是飛兆半導(dǎo)體新型60V MOSFET產(chǎn)品系列中的首款器件,這些新型 60V MOSFET器件的推出,進(jìn)一步強化公司中等電壓MOSFET產(chǎn)品系列。飛兆半導(dǎo)體擁有業(yè)界最廣泛的 MOSFET產(chǎn)品系列,向設(shè)計人員提供多種技術(shù)選擇,以便為應(yīng)用挑選合適的MOSFET器件。飛兆半導(dǎo)體充分認(rèn)識到空間受限的應(yīng)用場合對電流更高、占位面積更小的DC-DC電源的需求,并且了解客戶及其所服務(wù)的市場,因而能夠提供具有獨特功能、工藝和封裝創(chuàng)新組合的量身定做解決方案,實現(xiàn)電子設(shè)計差異化。



          關(guān)鍵詞: Fairchild MOSFET

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