分析系統(tǒng)優(yōu)化小電流測(cè)量

　　III分析系統(tǒng)優(yōu)化小電流測(cè)量——外部偏移

　　確定了安培計(jì)的偏移電流后，將系統(tǒng)的其余部分逐步添加至測(cè)試電路，通過(guò)重復(fù)電流(0V)和時(shí)間圖，驗(yàn)證系統(tǒng)其余部分的偏移(利用圖3中所示的“Append Run”按鈕)。最后，在“up”位置對(duì)探針末端或未連接器件的測(cè)試夾具進(jìn)行測(cè)量。該過(guò)程將有助于確定任何故障點(diǎn)，例如短路的電纜或測(cè)量電路中的不穩(wěn)定性。然而，要意識(shí)到，連接和斷開(kāi)電纜都會(huì)在電路中產(chǎn)生電流。為了進(jìn)行超低電流測(cè)量，可能有必要在改變測(cè)試電路的連接后等待幾分鐘至幾個(gè)小時(shí)，使雜散電流衰減。圖4中的圖形顯示的是以下條件下的偏移：1)SMU的Force HI端子上戴有金屬帽;2)前置放大器上僅連接一根三軸電纜;3)通過(guò)吉時(shí)利7174A型小電流開(kāi)關(guān)矩陣至探針臺(tái)，“up”位置有一個(gè)探針。

　　圖3. Append按鈕

　　圖4. 整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)的偏移電流測(cè)量

　　在生成電流-時(shí)間圖形時(shí)施加一個(gè)測(cè)試電壓，重復(fù)該項(xiàng)測(cè)試，確定測(cè)量電路中的漏泄電流。在DUT的實(shí)際測(cè)量中，使用的是測(cè)試電壓，而非零偏壓?，F(xiàn)在，將測(cè)量并繪制測(cè)試夾具和電纜中的任何漏流。如果漏流太高，可對(duì)測(cè)量電路進(jìn)行調(diào)節(jié)，減小漏流。關(guān)于減小漏流的方法信息，請(qǐng)參見(jiàn)本文“漏流和保護(hù)”部分。

　　IV測(cè)量誤差源及減小誤差的方法

　　確定了電流偏移、漏流及所有不穩(wěn)定性后，采取措施減小測(cè)量誤差將有助于提高測(cè)量準(zhǔn)確度。這些誤差源包括建立時(shí)間不足、靜電干擾、漏泄電流、摩擦效應(yīng)、壓電效應(yīng)、污染、濕度、接地環(huán)路，以及源阻抗。圖5中匯總了本節(jié)討論的部分電流的幅值。

　　圖5. 產(chǎn)生電流的典型幅值

　　建立時(shí)間和定時(shí)菜單設(shè)置

　　測(cè)量電路的建立時(shí)間在測(cè)量小電流和高電阻時(shí)尤其重要。建立時(shí)間是指施加或改變電流或電壓后測(cè)量達(dá)到穩(wěn)定的時(shí)間。影響測(cè)量電路建立時(shí)間的因素包括并聯(lián)電容(CSHUNT)和源電阻(RS)。并聯(lián)電容是由于連接電纜、測(cè)試夾具、開(kāi)關(guān)和探針造成的。DUT的源電阻越高，建立時(shí)間越長(zhǎng)。圖6的測(cè)量電路中標(biāo)出了并聯(lián)電容和源電阻。

　　圖6. 包含CSHUNT和RS的SMU測(cè)量電路

　　建立時(shí)間是RC時(shí)間常數(shù)τ的結(jié)果，其中：

　　τ = RSCSHUNT

　　以下為計(jì)算建立時(shí)間的一個(gè)例子，假設(shè) CSHUNT = 10pF，RS = 1TΩ，那么：

　　τ = 10pF × 1TΩ = 10s

　　因此，讀數(shù)穩(wěn)定至最終值的1%所需的建立時(shí)間為τ的5倍，也就是50秒。圖7所示為RC電路的階躍電壓指數(shù)響應(yīng)。經(jīng)過(guò)一個(gè)時(shí)間常數(shù)(τ = RC)后，電壓上升至最終值的63%。

　　圖7. RC電路的階躍電壓指數(shù)響應(yīng)