陸首群：英特爾必能修成正果

　　近日，美國(guó)市場(chǎng)研究公司In-Stat首席技術(shù)策略官吉姆·麥克格雷格表示，英特爾產(chǎn)品在2014年不一定獲得競(jìng)爭(zhēng)力，或是能夠引領(lǐng)市場(chǎng)的方向。但是對(duì)此，中國(guó)開(kāi)源軟件推進(jìn)聯(lián)盟主席陸首群教授認(rèn)為，英特爾只要持續(xù)努力，必成正果。

　　近日，英特爾技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁MikeMayberry又公布了英特爾半導(dǎo)體工藝路線(xiàn)圖：他們?cè)诓捎肍inFET技術(shù)基礎(chǔ)上，計(jì)劃于2011年攻克制程22nm(2012年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn))，2013年攻克14nm，2015年10nm(估計(jì)此時(shí)功耗可達(dá)0.1-0.2W)，2017年7nm(估計(jì)此時(shí)功耗可達(dá)0.05-0.075W)。

　　陸首群教授稱(chēng)，按照英特爾加快轉(zhuǎn)身的半導(dǎo)體工藝路線(xiàn)圖，我們可以相信，自2012年始，其X86架構(gòu)22nm的FinFET處理器技術(shù)(Atom平臺(tái))可大量支持平板電腦和智能手機(jī)進(jìn)入移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng);X86與ARM兩種架構(gòu)，F(xiàn)inFET與FDSOI兩種技術(shù)將在移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)上長(zhǎng)期并存，激烈競(jìng)爭(zhēng);英特爾又指出，除采用3-D三柵極晶體管技術(shù)外，還將開(kāi)發(fā)并推出光學(xué)互連，計(jì)算光刻、高密度內(nèi)存、納米線(xiàn)等新技術(shù)，而英特爾將依靠這些持續(xù)推出的系列創(chuàng)新技術(shù)(真正體現(xiàn)英特爾的技術(shù)實(shí)力)，來(lái)支持其在移動(dòng)芯片市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)和發(fā)展。ARM系制造商(高通、NVidia、TI、Marvel及蘋(píng)果等)采用FDSOI技術(shù)，并采用精密制程和多核工藝，迎接來(lái)自英特爾的挑戰(zhàn)。