芯片如何給力無線技術創(chuàng)新？

　　LTE的商用能力取決于芯片環(huán)節(jié)的成熟，這已是不爭的事實。

　　從去年全球各地建設LTE試驗網、世博會試用TD-LTE到今年多個地區(qū)開通LTE商用服務、國內TD-LTE進入6+1城市規(guī)模試驗階段，LTE終端數(shù)量也隨之不斷增多，但相比先期涌現(xiàn)出的單模LTE終端，終端和芯片廠商已將多模多頻視為現(xiàn)階段的攻關重點。

　　多模需求增大

　　LTE在今年正式開局，也對芯片提出了兼容FDD/TDD/WCDMA/EV-DO/GSM等多制式、支持十幾個頻段的新需求。盡管參與LTE芯片研發(fā)的企業(yè)數(shù)量越來越多，但一位業(yè)界人士直言不諱稱，對目前LTE芯片領域熱鬧非凡的現(xiàn)象不要太過樂觀，因為多模多頻的挑戰(zhàn)會在LTE接下來發(fā)展中變得越來越現(xiàn)實，而屆時真正能支持此需求的芯片廠家并不多。“最大的挑戰(zhàn)來自于射頻收發(fā)RFIC，從目前的技術水平看，真正有能力支持多模十幾個頻段的RFIC廠商僅包括高通、ST-Ericsson等幾家。”

　　中國移動終端部副總經理耿學鋒不久前在某廠商的會議上表示，在今年5?9月的第一階段LTE終端測試上將進行TD-LTE單模測試，完成單模主要技術驗證;今年10月到明年3月的第二階段將進行TDD/FDD多模測試，2012年7?12月實現(xiàn)小批量的驗證，同時要求廠商具備商用供貨能力。

　　相比之下，具有豐富商用經驗的芯片巨頭在多模產品上動作更快，例如今年2月ST-Ericsson推出的ThorM7400平臺已具備支持大多接入技術包括LTEFDD、TD-LTE、HSPA+、TD-SCDMA、EDGE等。

　　聯(lián)芯科技也于今年4月推出國內首款TD-LTE/TD-HSPA雙?；鶐幚砥餍酒琇C1760。

　　微架構新趨勢

　　除了多模多頻的挑戰(zhàn)，芯片的工藝與功耗也成為考驗廠商能力的指標。

　　此前中國移動研究院院長黃曉慶提出，針對LTE的數(shù)據(jù)業(yè)務，TD-LTE數(shù)據(jù)卡至少需要65nm工藝的支持才能滿足市場需要，在2011年的規(guī)模試驗中，65/45nm工藝以及GSM/LTE、GSM/TD-SCDMA/LTE多模終端已列入測試內容中，而在2012?2013年的試商用/商用階段，28nm工藝有望得到測試和應用，屆時將極大提高TD-LTE終端的成熟和性價比。

　　聯(lián)芯科技副總裁劉迪軍接受本刊采訪時稱，65nm/55nm工藝目前仍是芯片的主流工藝，但包括聯(lián)芯科技在內的眾廠商正在重點開發(fā)40nm架構的產品。“從工藝角度來看，微架構的主要作用除了能使芯片處理速度提高、集成度提高，還能大幅降低功耗。”

　　事實上，28nm工藝已經用于實際產品。今年2月，高通推出了采用28nm微架構制造的支持LTE/雙載波HSPA+/EV-DORev.B/TD-SCDMA的芯片組，同時還推出了支持下一代平板電腦及的四核Snapdragon芯片組，其核心架構也是28nm微架構。高通人士稱，這一架構的最大意義在于可支持更大的屏幕尺寸與更高的分辨率、更復雜的操作系統(tǒng)、多任務處理、多聲道音頻、高清游戲、立體3D(S3D)照片與視頻捕獲和播放，以及通過HDMI實現(xiàn)向1080P平板顯示器的高清輸出。