美國國家半導體推出針對增強型氮化鎵功率FET的100V半橋柵極驅(qū)動器

       美國國家半導體公司（National Semiconductor Corp.）（美國紐約證券交易所上市代碼：NSM）今天宣布，推出業(yè)界首款針對高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強型氮化鎵（GaN）功率場效應晶體管（FET）而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動器。美國國家半導體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅(qū)動器，與使用分立驅(qū)動器的設計相比，其可減少75％的組件數(shù)量，并還能縮小多達85％的印刷電路板（PCB）面積。
  
       磚式電源模塊和通信基礎設施設備的設計人員需要以最小的外形尺寸實現(xiàn)更高的功效。與標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）相比，由于具有較低的導通電阻（Rdson）、柵極電荷（Qg）以及超小的體積，增強型GaN FET可以實現(xiàn)更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅(qū)動這類器件也面臨著新的重大挑戰(zhàn)。美國國家半導體的LM5113驅(qū)動集成電路化解了這些挑戰(zhàn)，使電源設計人員能夠在各種流行的電源拓撲結(jié)構(gòu)中發(fā)揮GaN FET的優(yōu)勢。
 
       為了滿足增強型GaN FET嚴格的柵極驅(qū)動要求，我們需要多個分立器件和大量的電路以及PCB設計工作。美國國家半導體的LM5113完全集成的增強型GaN FET驅(qū)動器大大減少了電路的數(shù)量和PCB的設計工作，并實現(xiàn)了業(yè)界最佳的功率密度和效率。
 
       宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion Corporation)的創(chuàng)始人之一兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示：“美國國家半導體的LM5113橋式驅(qū)動器有助于設計人員通過簡化設計來發(fā)揮eGaN FETs的性能。LM5113大大減少了元件數(shù)量，與我們的eGaN FETs配合使用，可以大幅縮小PCB面積，實現(xiàn)更高的功率密度水平，而基于等效MOSFET的設計是做不到這一點的。”
 
LM5113橋式驅(qū)動器的技術(shù)特點

       美國國家半導體的LM5113是一款針對增強型GaN FET的100V橋式驅(qū)動器。該器件采用專有技術(shù)，可將高邊浮動自舉電容電壓調(diào)節(jié)到大約5.25V，以優(yōu)化驅(qū)動增強型GaN功率FET，而不會超過最高柵-源額定電壓。LM5113還具有獨立的匯/源輸出，可實現(xiàn)靈活的導通強度和關斷強度。0.5歐姆的低阻抗下拉路徑為低閾值電壓增強型GaN功率FET提供了一種快速、可靠的關斷機制，有助于最大限度地提高高頻電源設計的效率。LM5113集成了一個高邊自舉二極管，進一步縮小了PCB面積。LM5113還為高邊和低邊驅(qū)動器提供了獨立的邏輯輸入，從而可以靈活運用于各種隔離式和非隔離式電源拓撲結(jié)構(gòu)。
 
若欲了解更多信息，可瀏覽網(wǎng)頁 http://www.national.com/pf/LM/LM5113.html。
 
封裝、價格及供貨情況

美國國家半導體的LM5113采用10引腳4mm × 4mm LLP封裝。采購均以1,000顆為單位，單顆售價為1.65美元?，F(xiàn)已可提供樣品，并將于九月份量產(chǎn)。