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          Diodes 40V閘極驅(qū)動(dòng)器減少IGBT開關(guān)損耗

          作者: 時(shí)間:2011-07-05 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

             公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 Z (gate driver) ,有助于提高太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/121083.htm

            當(dāng)輸入電流為 1mA 時(shí),該通??商峁?4A 的驅(qū)動(dòng)電流,使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級(jí)的最佳選擇。Z 擁有一個(gè)發(fā)射極跟隨器配置,可防止閂鎖效應(yīng)(latch-up)及貫通問(wèn)題(shoot-through),實(shí)現(xiàn)少于 10ns 的傳輸延遲時(shí)間。

            Z 的操作范圍涵蓋 40V,可全面改善開關(guān)器件,從而把通態(tài)損耗降至最低。該器件同時(shí)允許從 +20V 至 -18V 的閘極驅(qū)動(dòng),有助于防止由 dV/dt 引起的IGBT 誤觸發(fā)(false triggering)。

            這個(gè)提供獨(dú)立電源和路漏輸出(sink output),可分別器件開啟及關(guān)閉時(shí)間,從而讓電路設(shè)計(jì)師能為特定應(yīng)用設(shè)定更佳的開關(guān)功能。再加上擁有 10Amp 的峰值電流處理能力,該器件可控制大閘極容性負(fù)載的充電和放電,以減少更高運(yùn)行頻率下的 EMI(電磁干擾)問(wèn)題和跨導(dǎo)風(fēng)險(xiǎn)(cross conduction)。

            該閘極驅(qū)動(dòng)器采用堅(jiān)固耐用的 SOT26 封裝,可比競(jìng)爭(zhēng)器件提供更高的脈沖電流,確保減少熱耗散,從而提升產(chǎn)品可靠性。此外,新器件的封裝引腳經(jīng)過(guò)優(yōu)化,能簡(jiǎn)化印刷電路板布線,并減少寄生引線電感。



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