意法半導(dǎo)體(ST)推具快速寫入功能存儲器產(chǎn)品

　　2011 年7月11日，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的半導(dǎo)體供應(yīng)商及電子設(shè)備EEPROM存儲器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款存儲器產(chǎn)品，擁有在緊急情況發(fā)生時儲存重要數(shù)據(jù)的快速數(shù)據(jù)記錄功能。新產(chǎn)品主要用于突然斷電的系統(tǒng)數(shù)據(jù)恢復(fù)以及發(fā)現(xiàn)設(shè)備故障或事故原因的黑匣子記錄器等應(yīng)用。

　　通過M35B32 EEPROM芯片，系統(tǒng)能夠在1毫秒內(nèi)完成大量關(guān)鍵信息 (2Kbits)的儲存 ，當(dāng)檢測到系統(tǒng)故障或事故時可立即做出反應(yīng)。如果發(fā)生斷電等意外情況，在電源電壓降至最低額定電壓前，這款超快速數(shù)據(jù)存儲器可以保存系統(tǒng)恢復(fù)所需的信息。

　　這款高速存儲器的主要目標(biāo)應(yīng)用包括游戲機、電池供電設(shè)備、電表、智能電網(wǎng)設(shè)備、工業(yè)系統(tǒng)以及醫(yī)療設(shè)備。相較于市場上的同類非易失性存儲器，M35B32的寫入速度約為標(biāo)準(zhǔn)32-Kbit EEPROM的40倍，可媲美閃存的寫入速度。意法半導(dǎo)體全新的存儲器產(chǎn)品的功耗約為閃存的十分之一，當(dāng)系統(tǒng)電源意外失效時，設(shè)計人員只需使用一個正常尺寸十分之一的后備電源電容器即可完成寫入操作，從而大幅度節(jié)省材料成本和電路板空間。相較于高速FRAM技術(shù)，M35B32的EEPROM技術(shù)更具成本與品質(zhì)優(yōu)勢。

　　M35B32擁有32-Kbit的存儲容量，分為事件記錄和正常系統(tǒng)EEPROM兩個存儲區(qū)。這兩個存儲區(qū)可讓用戶按照不同的應(yīng)用要求調(diào)整存儲空間。256 bytes的大容量存儲頁準(zhǔn)許一次寫入大量數(shù)據(jù)，當(dāng)向事件記錄區(qū)尋址時，信息寫入時間小于1毫秒，這個特性可提升系統(tǒng)性能，并節(jié)省軟件開銷。M35B32 內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)SPI串行接口，可直接替代標(biāo)準(zhǔn)SPI串口存儲器。

　　M35B32已投入量產(chǎn)，采用SO8N、TSSOP8和FPN 2 x 3mm微型貼裝。汽車質(zhì)量級產(chǎn)品將于2012年初推出，新產(chǎn)品將簡化汽車系統(tǒng)如ABS的設(shè)計。