意法半導體(ST)推具快速寫入功能存儲器產(chǎn)品

　　2011 年7月11日，橫跨多重電子應用領域的半導體供應商及電子設備EEPROM存儲器供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款存儲器產(chǎn)品，擁有在緊急情況發(fā)生時儲存重要數(shù)據(jù)的快速數(shù)據(jù)記錄功能。新產(chǎn)品主要用于突然斷電的系統(tǒng)數(shù)據(jù)恢復以及發(fā)現(xiàn)設備故障或事故原因的黑匣子記錄器等應用。

　　通過M35B32 EEPROM芯片，系統(tǒng)能夠在1毫秒內(nèi)完成大量關鍵信息 (2Kbits)的儲存 ，當檢測到系統(tǒng)故障或事故時可立即做出反應。如果發(fā)生斷電等意外情況，在電源電壓降至最低額定電壓前，這款超快速數(shù)據(jù)存儲器可以保存系統(tǒng)恢復所需的信息。

　　這款高速存儲器的主要目標應用包括游戲機、電池供電設備、電表、智能電網(wǎng)設備、工業(yè)系統(tǒng)以及醫(yī)療設備。相較于市場上的同類非易失性存儲器，M35B32的寫入速度約為標準32-Kbit EEPROM的40倍，可媲美閃存的寫入速度。意法半導體全新的存儲器產(chǎn)品的功耗約為閃存的十分之一，當系統(tǒng)電源意外失效時，設計人員只需使用一個正常尺寸十分之一的后備電源電容器即可完成寫入操作，從而大幅度節(jié)省材料成本和電路板空間。相較于高速FRAM技術，M35B32的EEPROM技術更具成本與品質(zhì)優(yōu)勢。

　　M35B32擁有32-Kbit的存儲容量，分為事件記錄和正常系統(tǒng)EEPROM兩個存儲區(qū)。這兩個存儲區(qū)可讓用戶按照不同的應用要求調(diào)整存儲空間。256 bytes的大容量存儲頁準許一次寫入大量數(shù)據(jù)，當向事件記錄區(qū)尋址時，信息寫入時間小于1毫秒，這個特性可提升系統(tǒng)性能，并節(jié)省軟件開銷。M35B32 內(nèi)置標準SPI串行接口，可直接替代標準SPI串口存儲器。

　　M35B32已投入量產(chǎn)，采用SO8N、TSSOP8和FPN 2 x 3mm微型貼裝。汽車質(zhì)量級產(chǎn)品將于2012年初推出，新產(chǎn)品將簡化汽車系統(tǒng)如ABS的設計。