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          Hynix東芝宣布將聯(lián)合開發(fā)STT-MRAM技術(shù)

          —— 還將擴(kuò)大專利交叉授權(quán)的范圍
          作者: 時間:2011-07-15 來源:cnbeta 收藏

            韓國與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認(rèn)為這項技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲技術(shù)之一。一旦有關(guān)的技術(shù)研發(fā)完成之后,兩家公司計劃成立一 家專門生產(chǎn)的芯片制造公司。另外,作為這次合作戰(zhàn)略的其它部分,兩家公司還將擴(kuò)大專利交叉授權(quán)的范圍。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/121446.htm

            據(jù)兩家公司的聯(lián)合聲明稱,MRAM是一種非易失性存儲技術(shù),它具備速度極快和耗電量低的優(yōu)點。預(yù)計芯片初期的用途將包括對耗電量要求很高的移動設(shè)備。

            不過兩家公司并沒有透露其STT-MRAM芯片產(chǎn)量規(guī)劃,以及何時開始商業(yè)化生產(chǎn)的計劃等。

            目前已經(jīng)有多家半導(dǎo)體廠商在生產(chǎn)MRAM芯片產(chǎn)品,其中包括Everspin,Grandis,Crocus等。不過這次兩大存儲業(yè)界巨頭的聯(lián)手則令MRAM市場大有風(fēng)云突變之勢。目前市場上存儲密度最高的MRAM芯片其密度為16Mbit左右,相比之下,采用20nm級別制程制造的NAND芯片目前則已經(jīng)達(dá)到64Gbit的存儲密度水平,兩者的密度差距甚大。不過研發(fā)MRAM的廠商都公認(rèn)MRAM具備更好的存儲密度拓展空間和信息保存能力。

            最近有報道稱東芝認(rèn)為其新近開發(fā)的垂直磁隧道結(jié)器件可作為制造Gbit密度級別ATT-MRAM的基本構(gòu)件,東芝認(rèn)為這種產(chǎn)品在3-4年內(nèi)可望實現(xiàn)商業(yè)化。與東芝表示雙方正在整合有關(guān)的資源和技術(shù),以降低MRAM商業(yè)化的風(fēng)險,加快將產(chǎn)品推向商業(yè)化的步調(diào)。



          關(guān)鍵詞: Hynix STT-MRAM

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