ARM全力對付硅和電池的障礙

        硅縮放和電池技術(shù)的一個(gè)大障礙阻礙了在移動(dòng)通信系統(tǒng)中的巨大的機(jī)遇，一個(gè)ARM執(zhí)行在主題演講中說。

       “硅縮放，在某一時(shí)刻會(huì)結(jié)束，而且我認(rèn)為它的到來早于很多人所料想的，”ARM的物理IP部門的總經(jīng)理Simon Segars，在一年一度的熱芯片的事件說。更重要的是，“我們確實(shí)需要一個(gè)新的電池技術(shù)，”他說。

        用硅原子測量一小部分在直徑和單個(gè)納米數(shù)字工藝技術(shù)接近的納米位數(shù)，“在我們需要其他材料,如III-V半導(dǎo)體之前，你只能規(guī)模到目前為止。”他說

        難以提供生產(chǎn)質(zhì)量的EUV（極紫外）光刻技術(shù)已經(jīng)造成了問題。今天的浸泡系統(tǒng)芯片制造商必須使用復(fù)雜的雙圖形技術(shù)，而等待他們的EUV，可用于14nm節(jié)點(diǎn)所需的，Segars說。

       “你需要產(chǎn)生一個(gè)每小時(shí)200-300晶圓，今天的EUV技術(shù)的機(jī)器現(xiàn)在可以做每小時(shí)約五晶圓”Segars說。 “有人質(zhì)疑是否將成為主流——研發(fā)仍然需要深入探究。”他補(bǔ)充說。

        設(shè)計(jì)問題顯得突出。 4G調(diào)制解調(diào)器可以500倍的2G版本的復(fù)雜性，需要專用的數(shù)據(jù)處理引擎。

        他說，需要更多的性能和功耗也推動(dòng)了多個(gè)電源域的復(fù)雜性和時(shí)序收斂。不過，ARM 執(zhí)行承諾提出包括Cortex A15處理器充分的跨多個(gè)CPU和GPU，到2015年。

        電池技術(shù)看起來同樣具有挑戰(zhàn)性，增加每年只有約11％，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于摩爾定律的步伐。即使維持蕭條率，“將需要一些特殊材料，如硅合金或碳納米管——電池是真正的毫無價(jià)值，”他說。

        在另一側(cè)的障礙是巨大的移動(dòng)機(jī)遇。“所有的數(shù)字都很大。”Segars說，注意到去年的40億移動(dòng)電話用戶市場的銷售額為280萬部智能手機(jī)。

        “雖然我們已經(jīng)取得了意想不到的進(jìn)展，仍然會(huì)有一些問題存在，未來也不會(huì)再像過去。”他警告說。