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          DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開:電壓僅1.2V

          —— 目標(biāo)是簡化新標(biāo)準(zhǔn)的遷移和部署
          作者: 時間:2011-08-24 來源:cnBeta 收藏

            JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天公布了內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性,并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,相比于DDR3取得重大性能提升,同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣稱,將具備一系列創(chuàng)新特性,可帶來更快的運(yùn)行速度和廣泛的實(shí)用性,包括服務(wù)器、筆記本、臺式機(jī)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等等,其頻率、電壓和架構(gòu)也都在進(jìn)行重新定義,目標(biāo)是簡化新標(biāo)準(zhǔn)的遷移和部署。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/122885.htm

            提議中的路線圖顯示,內(nèi)存的VDDQ電壓將設(shè)定在僅僅1.2V,并在未來進(jìn)一步降低VDD電壓,此外還會保證I/O電壓的穩(wěn)定。相比之下,DDR3標(biāo)準(zhǔn)版電壓為1.5V,低壓版也有1.35V。

            DDR4內(nèi)存每個針腳的數(shù)據(jù)傳輸率將達(dá)到1.6Gbps,最高會沖擊3.2Gbps??紤]到DDR3就有望沖破 1.6GT/s的極限,DDR4在未來應(yīng)該還會具備更高的性能水準(zhǔn)。其它提議中的性能改進(jìn)還包括:DQ總線偽開漏接口(pesudo open drain interface)、2667MHz及更高數(shù)據(jù)率的低速檔模式(geardown mode)、bank分組架構(gòu)(bank group)、內(nèi)部生成VreDQ電壓、訓(xùn)練模式(training mode)改進(jìn)。

            DDR4架構(gòu)上采用了8n預(yù)取的bank分組,包括使用兩個或者四個可選擇的bank分組,這將使得DDR4內(nèi)存的每個bank分組都有獨(dú)立的激 活、讀取、寫入和刷新操作,從而改進(jìn)內(nèi)存的整體效率和帶寬,尤其是在使用較小的內(nèi)存粒度(memory granularity)的時候。

            在此之前,和海力士已經(jīng)分別造出了試驗(yàn)性的DDR4內(nèi)存條。預(yù)計DDR4內(nèi)存將于2014年投入商用,2015年即迅速普及。

            DDR4其它正在開發(fā)中的特性:

            - 三種數(shù)據(jù)帶寬選擇:x4、x8、x16

            - 新的JEDEC POD12接口標(biāo)準(zhǔn)(1.2V)

            - 時鐘與閘門的差分信號

            - 新的終端機(jī)制:DQ總線負(fù)責(zé)控制VDDQ終端,即使VDD電壓衰減也能保持穩(wěn)定。

            - 常規(guī)和動態(tài)ODT:ODT協(xié)議的改進(jìn)和新的停放模式(Park Mode)可以實(shí)現(xiàn)常規(guī)終端和動態(tài)寫入終端,而無需驚動ODT針腳。

            - 突發(fā)長度8,突發(fā)突變4。

            - 數(shù)據(jù)屏蔽(data masking)

            - DBI:幫助降低功耗、改進(jìn)數(shù)據(jù)型號完整性,通知DRAM應(yīng)該保存真正的還是倒置的數(shù)據(jù)。

            - 新的數(shù)據(jù)總線CRC(錯誤校驗(yàn)):支持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)腻e誤校驗(yàn)功能,尤其有利于寫入操作和非ECC內(nèi)存應(yīng)用。

            - 新的指令/數(shù)據(jù)總線CA對等:一個新的低成本防范,用于指令和數(shù)據(jù)沿鏈接傳輸期間所有操作完整性的檢驗(yàn)。

            - 支持DLL關(guān)閉模式(DLL of mode)



          關(guān)鍵詞: 三星 DDR4

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